类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6.0A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TSSOP

KSC35520TU的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这使得该器件在高电流工作状态下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。在VGS为10V时，RDS(on)仅为28mΩ，适用于高效率的DC-DC转换器和负载开关。
　　其次，该MOSFET具有较高的额定电流能力，最大连续漏极电流为6.0A，适合中高功率应用。此外，漏源电压（VDS）最大为30V，使其适用于常见的12V、24V电源系统。
　　KSC35520TU的栅源电压（VGS）耐受范围为±20V，增强了其在不同驱动电路中的适应性。该器件的TSSOP封装不仅节省空间，还具有良好的散热性能，能够在较高环境温度下稳定工作。
　　由于其优异的热稳定性和低导通损耗，KSC35520TU在高频率开关应用中表现出色，适用于电源适配器、同步整流器、电池管理系统和工业控制设备。此外，其封装形式适合表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产。

KSC35520TU主要应用于电源管理领域，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。在这些系统中，它用于高效率的功率转换和开关控制。
　　此外，该MOSFET也广泛应用于工业控制设备、马达驱动器、电源模块以及便携式电子设备的电源管理电路中。其高电流能力和低导通电阻使其在需要高效率和低发热的场合表现出色。
　　由于其TSSOP封装体积小巧且具备良好的散热性能，KSC35520TU也适用于空间受限的高密度电路设计，例如通信设备、嵌入式系统和消费类电子产品中的电源部分。

Si2302DS, FDS6675, AO4406, IRF7413, IPD90N03C