ESR18EZPJD是一款基于硅工艺制造的高速光耦合器,广泛应用于工业和消费电子领域。它具备高隔离电压、快速响应时间以及低功耗等特性。这款光耦合器通常用于信号隔离、电平转换和噪声抑制等场景,确保系统在复杂电磁环境下的稳定运行。
该器件由发光二极管(LED)和光电晶体管组成,二者之间通过光学耦合实现电信号的传输。其封装形式为小型化设计,适合高密度电路板布局。
型号:ESR18EZPJD
工作温度范围:-40℃ 至 +110℃
隔离电压:5000Vrms
正向电流(IF):10mA
集电极-发射极电压(VCE):70V
集电极电流(IC):50mA
上升时间:1μs
下降时间:1μs
绝缘寿命:大于20年
封装类型:DIP-4
ESR18EZPJD具有以下显著特性:
1. 高速响应能力,上升时间和下降时间均为1μs,适用于高频应用。
2. 提供高达5000Vrms的电气隔离性能,满足大多数工业标准。
3. 工作温度范围宽广,能够在极端环境下保持可靠运行。
4. 小型化的DIP-4封装节省了PCB空间,同时便于安装与维护。
5. 内部结构经过优化,确保长期使用中的稳定性和耐用性。
6. 符合RoHS规范,环保且易于通过国际认证。
ESR18EZPJD适用于多种场合,包括但不限于:
1. 工业自动化设备中的信号隔离模块。
2. 电源管理系统的反馈回路设计。
3. 医疗设备中的安全隔离电路。
4. 消费类电子产品中的噪音过滤和电平转换。
5. 数据通信接口中的保护机制。
6. 变频器及伺服驱动器内的控制信号传输部分。
PS2801-1,
ACPL-C79A,
TLP291-1,
ILQ18ZP