71HF120 时间：2025/12/26 20:28:28 阅读：6

71HF120是一款由Vishay Siliconix公司生产的高压N沟道MOSFET，专为高效率开关电源应用设计。该器件采用先进的平面场效应技术制造，具有优异的导通电阻和开关性能，能够在高温和高电压环境下稳定工作。71HF120特别适用于工业电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种需要高压功率开关的场合。其额定电压为1200V，能够承受瞬态过压，具备良好的雪崩能量耐受能力，提高了系统在恶劣工况下的可靠性。该MOSFET封装于TO-247形式，具备优良的热传导性能，便于安装散热器以实现高效散热。此外，71HF120符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，适用于现代绿色电子产品设计中。

参数

型号：71HF120
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：1200 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：7.5 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：30 A
　　功耗（Pd）：200 W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.85 Ω，最大值 1.05 Ω @ Vgs = 10 V
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值 4.5 V，范围 3.0 ~ 6.0 V
　　输入电容（Ciss）：约 2200 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：约 350 pF
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管或极弱体二极管，不推荐用于续流
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-247

特性

71HF120具备出色的高压阻断能力，其1200V的漏源击穿电压使其能够广泛应用于高电压开关电路中，如工业级AC-DC电源、光伏逆变器和感应加热设备。该器件采用了优化的晶圆结构，在保证高耐压的同时显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提升了整体系统效率。其最大Rds(on)仅为1.05Ω，意味着在额定电流下产生的热量较低，有助于延长器件寿命并减少散热设计负担。此外，该MOSFET具备较高的热稳定性，能够在结温高达150°C的情况下持续运行，适合在高温工业环境中使用。
　　该器件的栅极设计具有良好的抗噪能力和驱动兼容性，支持标准逻辑电平驱动信号（通常需10V以上完全导通），可与常见的PWM控制器无缝配合。由于其快速的开关响应特性，71HF120在高频开关应用中表现出色，有助于减小磁性元件体积，提高电源功率密度。尽管其体二极管性能较弱或不具备有效续流能力，但在大多数硬开关拓扑中可通过外接快恢复二极管或SiC二极管来弥补这一不足。同时，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）和功率循环测试，确保在长期运行中的稳定性和耐用性。其TO-247封装不仅机械强度高，而且热阻低（典型RθJC约为0.6 °C/W），便于集成到风冷或液冷系统中，进一步提升热管理效率。

应用

71HF120常用于各类高电压、高效率的电力电子系统中。典型应用场景包括工业用大功率开关电源（SMPS），尤其是工作在600V以上的PFC（功率因数校正）级和主开关电路；在太阳能光伏逆变器中作为直流侧高压开关，实现高效的能量转换；在电机驱动系统中用于控制高压直流母线的通断；还可用于UPS不间断电源、焊接设备、激光电源以及感应加热装置等对可靠性和耐压要求较高的领域。此外，由于其具备较强的雪崩耐量，也适用于存在电压尖峰或感性负载切换的环境，能够在瞬态过压条件下保持稳定，避免意外失效。该器件尤其适合那些需要简化拓扑结构、降低系统成本并提高能效的设计方案。