时间：2025/6/16 10:15:59
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MT21B223K101CT是一款由Micron Technology生产的DDR3 SDRAM内存颗粒芯片，广泛应用于计算机、服务器和其他需要高效数据处理的电子设备中。该芯片采用先进的制造工艺，在性能和功耗方面表现出色，支持高速数据传输和多任务处理需求。
DDR3技术相比前代DDR2在速度、能耗和稳定性上均有显著提升，其主要特点包括更低的工作电压（通常为1.5V）和更高的数据带宽。
容量：2Gb
接口类型：DDR3
工作电压：1.5V
数据速率：1600Mbps
封装形式：FBGA
引脚数：78
温度范围：-40°C 至 +85°C
存储密度：2 Gb (256Mb x 8)
访问时间：CAS Latency (CL) = 11
MT21B223K101CT具有以下关键特性：
1. 高速数据传输：支持高达1600Mbps的数据速率，满足现代计算平台对高性能内存的需求。
2. 低功耗设计：采用1.5V标准工作电压，有助于降低整体系统能耗。
3. 稳定性与可靠性：通过优化电路设计和严格的测试流程，确保在各种环境下的稳定运行。
4. 广泛兼容性：符合JEDEC DDR3标准，易于集成到不同的硬件平台。
5. 小型化封装：采用78球FBGA封装，适合空间受限的应用场景。
该芯片适用于多种高性能计算领域，包括但不限于：
1. 台式电脑和笔记本电脑的内存模块。
2. 工业级控制设备中的数据缓存。
3. 服务器和工作站的大容量内存扩展。
4. 嵌入式系统中的高速数据存储解决方案。
5. 网络通信设备的数据缓冲功能。
由于其高可靠性和稳定性，MT21B223K101CT特别适合需要长时间连续运行的环境。
MT21B223K101DT, MT21B223K101DQ
