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ESMI-2IB1952M01-T 发布时间 时间:2025/9/7 17:11:16 查看 阅读:21

ESMI-2IB1952M01-T 是一款由 Everspin 生产的非易失性 MRAM(磁阻式随机存取存储器)芯片,具有高速读写能力和无限次的写入寿命。该器件采用先进的 MRAM 技术,结合了 SRAM 的高速特性和 Flash 的非易失性优势,适用于对数据存储可靠性要求极高的应用场景。

参数

容量:2Mbit
  组织方式:256K x 8
  接口类型:I2C
  工作电压:2.3V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSSOP
  封装引脚数:56
  最大读取频率:400kHz
  数据保持时间:超过20年
  写入耐久性:无限次

特性

ESMI-2IB1952M01-T 是一款高性能的非易失性 MRAM 芯片,其核心优势在于其卓越的读写性能和数据保持能力。相较于传统 EEPROM 或 Flash 存储器,该芯片具备无限次写入能力,不会因写入次数过多而产生磨损,从而显著延长了使用寿命。其内置的 I2C 接口使其与微控制器或其他主控设备之间的通信变得简单高效。
  该器件在断电情况下仍能可靠地保存数据,数据保持时间超过20年。此外,由于其非易失性特性,在系统断电或重启时,数据不会丢失,因此特别适合需要频繁写入和数据持久性的应用,如工业控制、嵌入式系统、数据记录器等。
  该芯片的工作电压范围为 2.3V 至 3.6V,使其能够在多种电源条件下稳定运行,适用于多种低功耗应用场景。其 TSSOP 封装形式在保证良好散热性能的同时,也具备较高的空间利用率,适合在紧凑型电子设备中使用。

应用

ESMI-2IB1952M01-T 广泛应用于需要高可靠性和数据持久性的场合,例如工业控制系统、自动化设备、数据采集系统、智能电表、医疗设备、安全系统以及航空航天电子设备等。其无限次写入能力和非易失性使其成为替代传统 EEPROM 和 SRAM 的理想选择,尤其是在对数据完整性要求极高的实时系统中。
  在工业自动化中,该芯片可用于保存关键的运行参数和事件记录,确保即使在断电情况下也能保留重要数据。在医疗设备中,它可以用于存储患者数据、设备校准信息等关键内容。此外,该芯片还可用于高可靠性通信设备、智能交通系统以及车载控制系统等领域。

替代型号

MR20H40BCSY35, ESR40-LC1AE0R2, Everspin MR2A16A080B48BA

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