时间：2025/8/25 5:14:34
阅读：14
SSF7N80A是一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于高电压和高功率的应用场合。该器件采用先进的平面条形技术，具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等特点。其封装形式为TO-220，便于散热和安装，适用于各种电源转换和控制电路。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：800V
最大连续漏极电流(Id)：7A
导通电阻(Rds(on))：约1.2Ω
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V～4V
最大功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55℃～150℃
SSF7N80A具有出色的电气性能和热稳定性，其高耐压能力使其适用于高电压系统，如开关电源、LED驱动器和电机控制设备。该器件的低导通电阻可以有效降低导通损耗，提高系统效率；同时，其快速开关特性有助于减少开关过程中的能量损耗，从而进一步提升整体性能。
此外，SSF7N80A的TO-220封装设计有助于良好的散热管理，确保在高负载条件下依然保持稳定运行。该器件还具有较高的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压条件下保持安全工作，提高了整体系统的可靠性。
在栅极驱动方面，SSF7N8A具有较宽的栅极阈值电压范围，适用于多种驱动电路设计，同时具备良好的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。
SSF7N80A广泛应用于各类高电压和高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、LED照明驱动器、工业电机控制、家用电器以及电源管理系统。在这些应用中，它通常作为主开关元件，承担电能的高效转换与控制功能。
STP8NK80Z, FQA7N80, IRFBC40
