类型：瞬态电压抑制二极管阵列
　　通道数：5通道
　　工作电压（VRWM）：5V
　　击穿电压（VBR）：最大6.5V（@ I_T=1mA）
　　钳位电压（VC）：最大13V（@ I_PP=1A）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（8/20μs波形）
　　电容值（C）：每通道典型值小于1pF（@ 1MHz）
　　ESD耐受能力：±15kV（空气放电），±8kV（接触放电），符合IEC 61000-4-2 Level 4
　　封装形式：SOD-882（DFN1006-3）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　极性配置：双向保护

ESDSRVLC05-4的核心优势在于其极低的寄生电容设计，每个通道的电容典型值低于1pF，在高频信号传输过程中几乎不会引入信号失真或衰减，因此非常适合用于现代高速数字接口的ESD防护。例如，在USB 2.0高速模式（480Mbps）或I2C、I3C总线应用中，低电容可以有效避免眼图闭合和时序抖动问题。此外，该器件采用双向TVS结构，能够同时抑制正负方向的瞬态电压冲击，提供对称保护特性，这对于差分信号线路尤为重要。
　　该芯片内部集成了五个独立的TVS单元，允许用户在一个紧凑封装内实现多路信号线的同时保护，显著节省PCB布局空间并简化电路设计流程。相比分立式TVS二极管方案，集成化设计还提升了系统一致性与可靠性。器件的响应时间极短，通常在皮秒级，能够在纳秒级的ESD事件发生时迅速导通，将瞬态能量泄放到地，从而保护后端CMOS集成电路免受高压损伤。
　　ESDSRVLC05-4符合RoHS环保要求，不含铅和卤素，适用于无铅焊接工艺，包括回流焊和波峰焊。其小型DFN封装具有良好的热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产。由于其高可靠性与长期稳定性，该器件被广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、智能家居控制器以及车载信息娱乐系统的接口防护电路中。制造商通常会提供详细的SPICE模型和IBIS模型供仿真验证，帮助工程师优化EMI/EMC设计。

该器件广泛应用于各类需要高等级静电防护的高速信号接口中。典型应用包括智能手机和平板电脑中的USB Type-C、Micro-USB、耳机插孔和触摸屏信号线保护；在物联网设备中用于保护Wi-Fi模块、蓝牙天线和传感器信号线路；在工业通信领域可用于RS-485、CAN总线和Ethernet PHY前端防护；此外，在高清音视频设备中，也常用于HDMI、DisplayPort和音频编解码器的ESD抑制。由于其宽温特性和高抗扰度，该器件同样适用于汽车电子环境下的车载导航、倒车影像输入端口和车内无线充电模块的瞬态保护。在医疗电子设备中，因其低泄漏电流和高绝缘性能，也可用于患者连接接口的初级防护层。整体而言，凡是有暴露在外且易受人体或环境静电影响的信号端口，均可考虑采用ESDSRVLC05-4作为第一道防线。

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　　 "ESD5V3LC05-4",
　　 "SRV05-4",
　　 "TPD5V3U05-4",
　　 "ESDA5V3UC-4",
　　 "RCLAMP0594FC"
　　]