ESDBL5V0AE1 H 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的静电放电(ESD)保护二极管,专为高速数据线和敏感电子电路提供高效、可靠的保护。该器件采用先进的硅雪崩二极管技术,能够在极短的时间内响应过电压事件,将高能静电放电导向接地,从而防止敏感IC受到损坏。该型号采用SOT-23-5L封装,适用于便携式电子设备、消费类电子产品和工业控制系统等多种应用场景。
工作电压:5.0V
最大反向工作电压(VRWM):5.0V
击穿电压(VBR):最小5.3V,典型值5.6V,最大6.2V
钳位电压(VC):在IPP=1A时为9.5V(最大)
峰值脉冲电流(IPP):1A(8/20μs波形)
响应时间(tRESP):小于1ns
漏电流(IR):最大100nA @ VRWM
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23-5L
ESDBL5V0AE1 H 是一款高性能ESD保护器件,其核心特性之一是极快的响应时间,能够在静电放电事件发生的瞬间迅速导通,将高能量脉冲安全泄放到地,从而有效保护下游电路。该器件的钳位电压较低,能够在过电压条件下将电压控制在一个安全范围内,避免对后级IC造成损害。此外,该器件具有极低的漏电流,在正常工作电压下几乎不消耗电流,不会对系统的功耗产生影响,适用于对功耗敏感的便携式设备。
该ESD保护二极管采用双向结构设计,可同时保护正负两个方向的过电压事件,适用于数据线双向传输的应用场景。其封装形式为SOT-23-5L,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的热稳定性和可靠性。该器件符合IEC 61000-4-2 Level 4标准,能够承受高达±15kV的空气放电和±8kV的接触放电,适用于严苛的电磁环境。
此外,ESDBL5V0AE1 H 在设计上具有良好的线性度和稳定性,即使在多次ESD事件后仍能保持其电气性能,确保长期可靠运行。其结构优化减少了寄生电容,对高速信号传输的影响极小,因此特别适用于USB 2.0、HDMI、DisplayPort等高速接口的保护。
该器件广泛应用于各种需要ESD保护的电子系统中,特别是在高速数据通信接口的保护方面表现出色。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机等便携式设备中的USB接口、HDMI接口、音频/视频输入输出端口等。此外,它也适用于工业控制设备、通信模块、传感器接口以及各类消费类电子产品中的敏感电路保护。在汽车电子系统中,如车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS)的接口保护中也有广泛应用。
ESD5V3B1 HC5
TPD1E01BA04
NUP2105L
STM12S5032F