时间：2025/8/6 11:37:24
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IXGA20N100是一款由IXYS公司生产的高功率双极型晶体管（IGBT）芯片，广泛应用于高功率电子设备中，如工业电源、电机控制和逆变器等。这款IGBT以其高耐压和高电流承载能力而著称，适合在恶劣环境下工作。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压（VCES）：1000V
最大集电极电流（IC）：20A
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
导通压降：约2.1V
短路耐受能力：有
栅极驱动电压：±20V
IXGA20N100具备优异的热稳定性和可靠性，能够承受高电流和高电压的极端条件。其导通压降较低，有助于减少功率损耗并提高整体效率。此外，该器件具有良好的短路耐受能力，可以在短时间内承受过载电流，从而提高系统的安全性。该IGBT还采用了先进的硅芯片技术，确保在高频率开关应用中的稳定性能。
这款IGBT的设计考虑了工业应用的需求，能够在广泛的温度范围内稳定工作，适用于高温环境。其封装形式为TO-247，便于安装和散热。IXGA20N100还具有良好的抗电磁干扰能力，适合用于复杂电磁环境中。
IXGA20N100广泛应用于各种高功率电子系统，包括工业电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）、电焊设备以及可再生能源系统（如太阳能逆变器）。其高耐压和高电流能力使其成为需要高功率密度和可靠性的应用的理想选择。此外，该器件还常用于电力传输和分配系统中的开关和控制电路。
IXGA24N100, IXGH20N100
