FDG6324L 是一款高性能的 N 沃特型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS),主要用于开关和功率放大等应用。它具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力,适用于广泛的工业和消费电子领域。
该器件采用小型表面贴装封装,适合自动化生产,并能够有效降低电路设计中的能量损耗。其优异的电气性能使其成为需要高效能和小体积解决方案的理想选择。
型号:FDG634L
类型:N 沃特 MOSFET
VDS(漏源电压):-40V
RDS(on)(导通电阻):15mΩ
ID(持续漏极电流):18A
Qg(总栅极电荷):37nC
VGS(栅源电压):±20V
f(工作频率):1MHz
封装形式:TO-252 (DPAK)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
FDG6324L 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(RDS(on) 仅为 15mΩ),可显著降低传导损耗并提高效率。
2. 快速的开关速度,适合高频操作,能够满足现代电源转换器的需求。
3. 高额定电流(18A),支持大功率应用。
4. 采用 TO-252 封装,占用空间小,便于 PCB 布局。
5. 工作温度范围广(-55°C 至 +175°C),适应恶劣环境条件下的使用。
6. 总栅极电荷较小(37nC),有助于减少驱动损耗并提高系统整体效率。
这些特点使得 FDG6324L 成为 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等应用中的理想选择。
FDG6324L 的典型应用包括但不限于以下方面:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中用于提升效率的同步整流器。
3. 各种负载开关和保护电路中的核心元件。
4. 在电机驱动电路中用作功率级输出元件。
5. 电池管理系统(BMS)中的电流控制和保护功能。
6. 可穿戴设备、笔记本电脑适配器及汽车电子系统中的功率管理模块。
凭借其卓越的性能和可靠性,FDG6324L 能够在上述领域提供稳定高效的解决方案。
FDG6321L
IRLZ44N
SI4470DY
FDP5500