IXTH27N40MB 时间：2025/8/5 17:58:34 阅读：11

IXTH27N40MB是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率应用中，如开关电源、电机控制和DC-DC转换器。该器件采用了先进的平面技术，具备高耐压、低导通电阻以及优异的热稳定性。IXTH27N40MB的封装形式为TO-247，便于散热并适用于多种工业应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压(Vdss)：400V
　　最大栅极电压(Vgss)：±30V
　　最大漏极电流(Id)：27A
　　导通电阻(Rds(on))：最大0.16Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散(Pd)：150W

特性

IXTH27N40MB具有多项优异的电气和物理特性。首先，其高耐压能力（最大漏极电压为400V）使其适用于多种高压应用，如电源供应器和电机驱动系统。其次，该器件的导通电阻较低，最大为0.16Ω，从而降低了导通损耗并提高了整体效率。此外，IXTH27N40MB采用了先进的平面技术，提供出色的热稳定性，使其在高负载条件下仍能保持良好的性能。
　　这款MOSFET的TO-247封装设计有助于高效的热量管理，确保在高功率应用中稳定运行。IXTH27N40MB还具有良好的栅极驱动特性，能够快速开关，适用于高频开关应用。其高栅极电压耐受能力（±30V）也提供了额外的安全裕量，避免因栅极电压波动而导致的损坏。

应用

IXTH27N40MB广泛应用于多种高功率电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，该器件因其高耐压和低导通电阻特性，被用于高效能电源转换器的核心部分，以提高整体效率并减少热量产生。在电机控制应用中，IXTH27N40MB可用于驱动直流电机和步进电机，其快速开关特性和高电流承载能力使其成为高性能电机驱动的理想选择。
　　此外，该MOSFET也常用于DC-DC转换器中，特别是在升压（Boost）和降压（Buck）转换器设计中，以实现高效能的电压转换。IXTH27N40MB还适用于太阳能逆变器和储能系统，用于实现高效的能量转换和管理。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动车辆的电机控制系统以及电池管理系统（BMS），满足汽车工业对高可靠性和长寿命的需求。