ESD8F5.0C-S10T是一种高性能的瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),专为电路保护设计,可有效防止静电放电(ESD)、雷击和其他瞬态电压对电子设备造成的损害。该器件采用了先进的硅雪崩技术,具有低电容、快速响应时间以及高浪涌能力等特性,非常适合用于高速数据线和信号线的保护。
ESD8F5.0C-S10T适用于各种消费类电子产品、通信设备、工业控制等领域,其小型化的封装形式有助于节省PCB空间并简化设计流程。
工作电压:5V
峰值脉冲电流:23A
钳位电压:7.6V
结电容:0.4pF
响应时间:≤1ps
最大工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:SOD-323
1. 低结电容(仅0.4pF),适合高速线路应用。
2. 极快的响应时间(≤1ps),能够迅速抑制瞬态电压。
3. 高浪涌电流承受能力(23A),确保在恶劣环境下稳定工作。
4. 工作电压精确,提供可靠的过压保护。
5. 小型化封装(SOD-323),便于布局和焊接。
6. 宽温度范围适应性(-55℃至+150℃),满足各种环境需求。
1. USB接口保护。
2. HDMI、DisplayPort等高速数据线防护。
3. 移动设备中的天线端口保护。
4. 网络通信设备中的信号线防护。
5. 消费类电子产品的电源输入端保护。
6. 工业自动化设备中的接口保护。
ESD8F5.0C-SOT323, PESD8V0PBT2G