D2304R 时间：2025/8/18 9:01:37 阅读：5

D2304R 是一款常见的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。该器件通常采用N沟道结构，具备低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特性，适用于高效率电源管理系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：17A
　　导通电阻（Rds(on)）：约18mΩ（Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

D2304R具有低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
　　该MOSFET具备高电流承载能力，适合高负载应用。
　　其封装形式（TO-252）便于散热，适用于表面贴装工艺。
　　由于其快速开关特性，适用于高频开关电路。
　　此外，D2304R的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间正常工作，使其兼容多种驱动器和控制器。
　　该器件具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业级和汽车电子应用。

应用

D2304R广泛应用于各类电源管理电路，包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、负载开关和电机驱动器等。
　　它也常用于电源适配器、充电器、LED驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　在汽车电子领域，D2304R可用于车载电源系统、电动工具和车载充电器等应用。
　　由于其低导通电阻和高效率，它也是设计高密度电源的理想选择。