类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）
　　封装形式：SOD-323
　　最大反向工作电压（VRWM）：33V
　　击穿电压（VBR）：最小37V，典型39V，最大41V
　　峰值脉冲电流（IPP）：10A（8/20μs波形）
　　钳位电压（VC）：最大53V
　　响应时间（tRESP）：小于1ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

ESAD33D 的核心特性包括其高浪涌吸收能力和快速响应时间，使其能够在瞬态电压事件中迅速导通并钳制电压，从而保护下游电路。其SOD-323封装形式在节省空间的同时，提供了良好的散热性能和机械稳定性，适合用于高密度PCB布局。
　　该器件的钳位电压较低，能够有效降低瞬态电压对敏感电路的影响，同时具备较高的可靠性，能够承受多次浪涌冲击而不会发生性能退化。此外，ESAD33D 的反向漏电流非常低，通常在微安级别以下，从而减少了静态功耗，提高了整体系统效率。
　　该TVS二极管还具有良好的热稳定性，能够在宽温度范围内保持稳定的电气性能，适用于恶劣环境下的工业应用。

ESAD33D 广泛应用于需要瞬态电压保护的各类电子设备中，包括但不限于便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）、通信模块（如Wi-Fi、蓝牙模块）、电源管理单元、USB接口保护、HDMI接口保护以及工业控制系统中的信号线保护。该器件特别适合用于高速数据线路的保护，确保数据传输的稳定性和设备的长期可靠性。

ESAD33D 可以被 PESD33V1BA、SMBJ33A、1.5KE33CA 等型号替代，具体取决于应用需求和电路设计要求。