品牌：Intel
　　类型：NOR Flash
　　容量：256 Mbit
　　组织结构：32M x 8 / 16M x 16
　　工艺技术：48nm MirrorBit?
　　接口类型：并行异步
　　供电电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：64-TSOP
　　访问时间：70 ns
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写保护功能：支持硬件和软件写保护
　　ECC支持：内置错误校正电路
　　擦除寿命：典型100,000次
　　数据保持时间：典型10年

JS28F256P30B采用Intel独有的MirrorBit? 存储技术，该技术通过在每个存储单元中存储两个独立的比特信息，显著提升了存储密度而无需缩小物理尺寸，从而在不增加芯片面积的情况下实现更高的容量。这种创新结构利用氮化物层中的两个离散电荷存储区域分别代表一个逻辑“0”或“1”，实现了真正的双比特存储单元，提高了单位面积的存储效率并降低了制造成本。该技术还增强了数据的热稳定性与耐久性，使得在高温环境下长期存储的数据依然可靠。
　　该器件具备出色的读写性能，支持高达70ns的快速随机读取速度，满足实时系统对代码直接从Flash执行（XIP, eXecute In Place）的需求，特别适用于路由器、交换机、PLC控制器等需要快速启动和高效响应的嵌入式设备。其内部集成电荷泵可自动生成编程所需的高压，无需外部提供VPP电源，简化了系统设计并降低了整体功耗。
　　在数据保护方面，JS28F256P30B提供了多层次的安全机制。除了支持传统的硬件写保护引脚（WP#）外，还引入了软件数据保护（SDP）命令集，能够有效防止因意外断电、程序跑飞或恶意软件导致的非法写操作。同时，芯片支持按块（Block）进行单独擦除和编程，并可通过配置实现部分区域的永久写保护，保障关键固件的安全性。
　　该器件内置ECC（Error Correction Code）引擎，在每次读取操作时自动检测并修正单比特错误，标记多比特错误以供系统处理，极大提升了数据完整性和系统可靠性。此外，其支持的智能分区管理功能允许用户将存储空间划分为不同权限级别的区域，便于实现固件更新、日志记录与配置存储的隔离管理。

JS28F256P30B广泛应用于对可靠性、稳定性和长期供货有严格要求的工业与通信领域。在通信基础设施中，常用于路由器、交换机、基站控制器等设备中作为主固件存储器，支持快速启动和可靠的代码执行。其高速读取能力和XIP特性使其成为网络设备中不可或缺的核心组件。
　　在工业自动化领域，该芯片被广泛集成于可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）、远程终端单元（RTU）等设备中，用于存储操作系统、应用程序代码及配置参数。由于其支持宽温工作范围和高抗干扰能力，能够在恶劣的工业环境中长期稳定运行。
　　此外，该器件也常见于医疗设备、测试仪器、航空航天电子系统等高端嵌入式平台，承担关键数据和引导程序的存储任务。在这些应用中，数据完整性与系统可用性至关重要，JS28F256P30B凭借其内置ECC、写保护机制和高耐久性擦写周期，提供了强有力的保障。
　　尽管近年来串行NOR Flash因其引脚少、成本低而逐渐普及，但JS28F256P30B所代表的并行NOR Flash仍在需要高吞吐量、低延迟访问的场景中占据不可替代的地位。尤其在已有成熟设计方案且需维持长期兼容性的项目中，该型号仍是首选之一。

MT28EW256ABA1LPC-0SIT
　　S29GL256P_0_Series
　　IS25LP256D