时间：2025/8/1 10:54:02
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ES3S002SZA是一款由ROHM Semiconductor生产的高效能、低电压、小功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于便携式电子设备、电源管理以及电池供电系统等领域。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适合用于需要高效能和节能的应用场景。该器件采用小型表面贴装封装，便于在紧凑型电路设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：20V
栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：2A
导通电阻(Rds(on))：0.11Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSMT6
功率耗散(Pd)：200mW
输入电容(Ciss)：28pF（典型值）
ES3S002SZA的核心特性之一是其低导通电阻，这使得在导通状态下功率损耗极低，从而提高了整体系统的能效。此外，该器件具有较高的开关速度，能够支持高频操作，这对于DC-DC转换器和负载开关等应用至关重要。
另一个重要特性是其小型TSMT6封装，这种封装不仅节省空间，而且具有良好的热性能，能够有效散热。这对于在高密度PCB布局中使用尤为重要。
此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持3.3V至5V逻辑电平驱动，适用于多种控制电路设计。该器件的工作温度范围宽，能够在极端环境下稳定运行，增强了其在工业和消费类电子产品中的适用性。
ES3S002SZA常用于便携式设备中的电源管理电路，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。它也适用于电池供电的物联网设备，用于控制电源的开启与关闭，以提高能效并延长电池寿命。
该器件还可用于DC-DC转换器、负载开关和马达驱动电路中，支持高效的能量转换和管理。在汽车电子系统中，如车载充电器和LED照明控制模块，ES3S002SZA也能提供稳定可靠的性能。
此外，该MOSFET适用于各种需要低电压、小功率开关的应用，包括传感器接口电路、小型马达控制电路和LED背光调节电路等。
Si2302DS, FDS6675, BSS138K
