型号：UPA1C681MPD6
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：60V
　　最大连续漏极电流(ID)：43A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：120A
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大漏源导通电阻(RDS(on))：1.8mΩ @ VGS=10V, 25°C
　　最大漏源导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ @ VGS=4.5V, 25°C
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：3400pF @ VDS=30V
　　输出电容(Coss)：920pF @ VDS=30V
　　反向传输电容(Crss)：100pF @ VDS=30V
　　总栅极电荷(Qg)：65nC @ VGS=10V
　　开启延迟时间(Td(on))：15ns
　　关断延迟时间(Td(off))：30ns
　　上升时间(Tr)：25ns
　　下降时间(Tf)：20ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：LFPAK (HSOP-8)
　　是否符合RoHS：是
　　是否通过AEC-Q101：是

UPA1C681MPD6采用了瑞萨先进的沟槽栅极与场截止结构工艺，这种设计显著降低了器件的导通电阻RDS(on)，同时优化了开关过程中的电荷分布，从而有效减小开关损耗。其典型的RDS(on)仅为1.8mΩ（在VGS=10V时），即使在较低驱动电压如4.5V下也能保持2.3mΩ的低导通电阻，这使得它非常适合用于高电流密度的同步降压转换器中作为上管或下管使用。得益于超低的RDS(on)，该MOSFET在大电流工作状态下能够大幅降低I2R损耗，提升整体电源转换效率。
　　该器件的栅极电荷Qg典型值为65nC，在高频开关应用中表现出色，有助于减少驱动电路的功耗并提高系统的动态响应能力。其输入电容Ciss为3400pF，输出电容Coss为920pF，Crss仅为100pF，较小的反向传输电容意味着更强的抗噪声干扰能力，可有效抑制米勒效应引起的误触发问题，增强在高dv/dt环境下的稳定性。此外，该MOSFET具备快速的开关时间特性，开启延迟约15ns，关断延迟约30ns，配合短促的上升和下降时间，确保了在数百kHz乃至MHz级别的开关频率下仍能保持高效运行。
　　UPA1C681MPD6采用的LFPAK封装是一种无引线、双面散热的Power SOP封装，相比传统TO-220或DPAK封装，具有更低的热阻和更高的功率密度。其热阻RθJC（结到外壳）仅为0.7°C/W，有利于热量从顶部和底部同时传导至PCB，从而延长器件寿命并提高系统可靠性。此封装还减少了寄生电感，进一步提升了高频性能。该器件通过了AEC-Q101车规级认证，具备优良的抗湿性、耐温度循环能力和机械强度，可在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定工作，适用于严苛的工业与汽车环境。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适合需要频繁续流的应用场合。

UPA1C681MPD6广泛应用于各类高效率、高功率密度的直流电源系统中。常见用途包括车载信息娱乐系统、ADAS辅助驾驶模块、电动助力转向（EPS）系统的电源管理单元，以及车载充电机（OBC）中的DC-DC转换 stage。在消费类电子产品中，它被用于笔记本电脑、平板电脑和高端智能手机的多相 buck 转换器设计，作为同步整流开关以提高能效并减少发热。此外，该器件也适用于服务器电源、通信基站电源模块、LED 驱动电源和工业控制设备中的负载开关与热插拔电路。由于其具备AEC-Q101认证和出色的热性能，特别适合集成在紧凑型车载电源板上，用于实现低压大电流的电压调节。在电池管理系统（BMS）中，UPA1C681MPD6可用于充放电路径的通断控制，利用其低导通电阻来最小化能量损耗。同时，其快速开关能力使其适用于数字电源和VRM（电压调节模块）等高频开关拓扑结构，例如两相或多相交错式降压变换器，能够在轻载和满载条件下均维持高转换效率。

SiSS108DN-T1-GE3
　　AOZ5242PQI-02
　　IRLHS6296
　　FDPF6820S