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KV1471ETR-G 发布时间 时间:2025/6/13 13:27:23 查看 阅读:8

KV1471ETR-G 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,能够提供卓越的开关性能和低导通电阻特性,从而提高系统效率并降低功耗。
  该芯片通常应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等场景中,适合需要高效率和高可靠性的电子设备。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关速度:非常快
  封装类型:TO-263

特性

KV1471ETR-G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够显著减少导通损耗,提升整体系统效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频电路设计,支持更高的工作频率以减小外部元件体积。
  3. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的性能表现。
  4. 内置保护功能(如过流保护和短路保护),提高了器件的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 可靠性高,使用寿命长,适合工业级及消费级应用场景。

应用

KV1471ETR-G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动与控制,例如无刷直流电机 (BLDC) 控制器。
  3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  4. 汽车电子系统的电源管理部分。
  5. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用。
  该器件因其卓越的性能特别适合需要高效率和快速响应的设计。

替代型号

IRFZ44N, FDP5570, BUK7Y0R5-60E

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