FEMDNN008G-08A39 时间：2025/9/12 13:56:32 阅读：7

FEMDNN008G-08A39是一款由FEM（Fairchild Semiconductor，现为ON Semiconductor的一部分）生产的功率MOSFET模块。该模块主要用于高功率密度应用，例如电源管理、电机驱动、逆变器、DC-DC转换器和工业控制系统。该器件采用先进的封装技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和优异的热性能，适合在高温环境下运行。

参数

类型：功率MOSFET模块
　　漏源电压（Vds）：80V
　　漏极电流（Id）：8A（典型值）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.008Ω（最大值）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：双侧散热DFN（Dual Flat No-leads）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　技术：TrenchFET

特性

FEMDNN008G-08A39是一款采用TrenchFET技术的高性能功率MOSFET模块，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。其双侧散热DFN封装提供了优异的热管理和散热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。该器件支持高电流密度，适用于空间受限的设计，同时保持较高的功率处理能力。此外，它具有高耐用性，能够在极端温度下保持良好的性能，适用于汽车电子、工业控制、服务器电源、电池管理系统等高要求应用场景。
　　FEMDNN008G-08A39的先进封装技术不仅提升了热性能，还降低了寄生电感，提高了开关效率，减少了EMI（电磁干扰）问题。这使得它在高频开关应用中表现出色，同时减少了外部元件的需求，提高了系统整体的可靠性。该模块还具备良好的短路耐受能力和过温保护特性，进一步增强了系统的安全性。

应用

FEMDNN008G-08A39广泛应用于各种高功率密度和高效率要求的电子系统中。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、电信电源设备、工业自动化控制系统以及汽车电子系统（如车载充电器、电动助力转向系统等）。此外，它也适用于需要高可靠性和高性能的消费类电子产品，如高端笔记本电脑电源和智能家电。