制造商：Vishay Semiconductors
　　产品类别：肖特基二极管阵列
　　配置：双共阴极（Dual Common Cathode）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：15 V
　　最大直流阻断电压（VR）：15 V
　　平均整流电流（IO）：9 A
　　每芯片正向电流（IF）：4.5 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：60 A
　　正向压降（VF）：典型值 380 mV（@ IF = 4.5 A, TJ = 25 °C）
　　最大正向压降：450 mV（@ IF = 4.5 A, TJ = 25 °C）
　　反向漏电流（IR）：最大 1 mA（@ VR = 15 V, TJ = 25 °C）
　　结温范围（TJ）：-55 °C 至 +125 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装/外壳：SMPC（PowerPAD）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55 °C 至 +125 °C
　　热阻抗（RθJA）：典型值 20 °C/W（在4层FR4 PCB上）
　　热阻抗（RθJC）：典型值 1.7 °C/W

ERD09-15H2的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种技术利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而实现极低的正向导通压降和近乎零的反向恢复时间。这一特性使得器件在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关过程中的能量损耗，提高电源转换效率。其典型的正向压降仅为380mV，在4.5A的工作电流下，单个二极管的导通损耗约为1.71W，远低于传统快恢复二极管。同时，由于没有少子存储效应，ERD09-15H2在从导通状态切换到截止状态时几乎不产生反向恢复电流，避免了由此引起的电磁干扰（EMI）和额外的开关应力，有助于简化滤波电路设计并提升系统稳定性。
　　该器件采用SMPC封装，底部带有裸露的PowerPAD，可直接焊接到PCB的散热焊盘上，通过大面积铜箔实现高效的热量传导，显著降低热阻。实测数据显示，其结到外壳的热阻（RθJC）低至1.7°C/W，结合适当的PCB布局设计，可在高功率密度应用中维持较低的工作结温，延长器件寿命。此外，该封装的小尺寸（约3.3mm x 3.3mm）使其适用于便携式设备和高密度电路板设计。
　　ERD09-15H2具备良好的电流共享能力，在并联使用或作为双通道整流元件时，能够均匀分担负载电流，避免局部过热。其最大平均整流电流达9A，浪涌电流能力高达60A，适用于存在启动冲击或负载突变的电源系统。器件的反向漏电流控制在1mA以内（15V反向电压下），虽然在高温环境下会有所上升，但在大多数常规应用中仍处于可接受范围。综合来看，ERD09-15H2是一款高性能、高可靠性的功率肖特基二极管阵列，特别适合用于低电压、大电流、高频率的电源拓扑结构中。

ERD09-15H2广泛应用于各类需要高效整流和低损耗设计的电子系统中。典型应用场景包括同步整流型DC-DC降压转换器，尤其是在服务器、通信设备和FPGA供电模块中，用于替代传统的MOSFET续流路径以简化控制逻辑或作为辅助整流元件。在便携式消费电子产品如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理单元中，该器件可用于电池充电回路的防倒灌保护或电压路径切换，凭借其小尺寸和高效率满足紧凑化设计需求。
　　在分布式电源架构中，ERD09-15H2常被用于POL（Point-of-Load）转换器的输出整流级，特别是在输出电压低于5V、电流需求较高的场合。其低VF特性有效减少了发热，提升了能效等级。此外，该器件也适用于高频逆变器、LED驱动电源、USB PD快充适配器以及工业控制系统的隔离电源模块中，承担整流、钳位或反向电压保护功能。
　　在汽车电子领域，尽管其额定电压较低限制了部分高压应用，但ERD09-15H2仍可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块或车身控制单元中的低压电源转换部分，前提是工作电压在15V以内且环境温度控制得当。其可靠的封装工艺和经过验证的长期稳定性，使其成为工程师在设计高密度、高效率电源方案时的重要选择之一。

ERD09-15H