类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　漏极电流（ID）：11 A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45 Ω
　　功率耗散（PD）：50 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

C5242-O 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达到 600V，这使得它非常适合用于高压电源应用。此外，该器件的栅源电压为 ±30V，提供了良好的栅极控制能力，并增强了器件的稳定性。
　　其次，该 MOSFET 具有较低的导通电阻（RDS(on)）为 0.45Ω，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统的效率。在高电流应用中，这种低导通电阻尤为重要，因为它可以显著减少热量产生并提高电源转换效率。
　　另外，C5242-O 的最大漏极电流为 11A，支持较高的负载能力，适用于中高功率的开关电源、DC-DC 转换器以及电机控制电路。该器件的功率耗散为 50W，具备良好的散热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。
　　封装方面，C5242-O 采用 TO-220 标准封装，具有良好的机械稳定性和热传导性能，便于在 PCB 上安装和散热设计。此外，其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，表现出良好的环境适应性，适用于各种工业和消费类电子产品。

C5242-O 主要用于需要高压和中等电流能力的功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、LED 照明驱动器、电机驱动电路、充电器和逆变器等。在开关电源中，C5242-O 可作为主开关器件，实现高效的能量转换；在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于升压或降压拓扑结构，提高系统的整体效率；在电机驱动器中，C5242-O 可用于控制直流电机的启停和转速调节，提供稳定可靠的功率输出。
　　此外，该器件也适用于工业自动化控制系统、UPS（不间断电源）和光伏逆变系统等应用领域。其高可靠性和良好的热性能，使其在长时间高负载运行环境中仍能保持稳定的工作状态。

2SK2647, 2SK2141, IRFBC40