时间：2025/9/7 4:14:02
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HM5117400S-6是一款由日本Hitachi公司设计的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于高性能高速SRAM系列，广泛应用于需要高速数据存取的系统中。该芯片采用CMOS技术制造，具有低功耗、高速度和高可靠性等优点。HM5117400S-6的封装形式通常为TSOP（薄型小外形封装），适用于各种电子设备和嵌入式系统。
容量：16Mbit（1M x 16）
电压范围：2.3V 至 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装类型：TSOP
数据输入/输出宽度：16位
控制信号：CE（片选）、OE（输出使能）、WE（写使能）
封装引脚数：54-pin
HM5117400S-6 SRAM芯片是一款高性能的存储解决方案，具有出色的访问速度和稳定性。其高速访问时间为5.4ns，能够满足高速缓存和实时系统对数据快速存取的需求。芯片采用低功耗CMOS工艺制造，在保持高性能的同时实现了较低的功耗，适用于对功耗敏感的应用场景。
此外，该芯片具有16位并行数据接口，适用于需要大量数据吞吐的场合，如图像处理、通信设备和工业控制系统。其工作电压范围为2.3V至3.6V，具有良好的电源适应性，适用于多种电源设计环境。芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业和恶劣环境下的应用。
在功能方面，HM5117400S-6支持异步操作，具备片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）控制信号，便于与各种微处理器和控制器进行接口。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了封装密度，适合高密度电路板设计。
该芯片广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的设备中，如网络设备、通信模块、工业自动化控制系统、嵌入式系统、图像处理设备以及测试与测量仪器。其低功耗和高可靠性也使其适用于便携式设备和长时间运行的系统。
IS61LV1024-10B4BLI-TR, CY62148EV30LL-45B4X
