P0903BDA-A 时间：2025/9/12 11:33:05 阅读：6

P0903BDA-A是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具备优异的导通性能和耐压能力，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。P0903BDA-A属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在高频率下工作，从而提高系统的整体效率。

参数

类型：N沟道
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：160A（在Tc=25°C时）
　　功耗（Pd）：200W
　　导通电阻（Rds(on)）：最大3.75mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　安装类型：表面贴装
　　引脚数：8

特性

P0903BDA-A的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力、优异的热性能以及高可靠性。其低Rds(on)特性可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET采用PowerFLAT 5x6封装，具有良好的散热性能，能够有效降低工作温度，延长器件寿命。由于其高栅极电荷（Qg）优化设计，该器件在高频开关应用中表现出色，适用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用场景。P0903BDA-A还具备较高的短路耐受能力，能够在严苛的工作条件下稳定运行。
　　这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持10V至20V之间的栅极驱动，便于与各种驱动电路兼容。同时，其封装设计有助于实现更高的PCB布局密度，适用于空间受限的应用场合。由于采用了先进的沟槽式MOSFET技术，P0903BDA-A在性能和可靠性方面均表现出色。

应用

P0903BDA-A常用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备等高功率应用场合。其优异的导通性能和高电流能力使其成为高效能电源转换系统中的理想选择。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等。在服务器和通信设备的电源模块中，P0903BDA-A也被广泛采用，以提高能效和可靠性。