ERA34-10是一种基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,专为射频和微波应用设计。该器件具有高增益、高输出功率和宽带宽性能,非常适合用于通信系统、雷达设备以及测试测量仪器中。
ERA34-10采用先进的封装工艺,确保了其在高频环境下的稳定性和可靠性。其出色的线性度和低失真特性使其成为高性能射频放大器的理想选择。
类型:功率晶体管
材料:氮化镓(GaN)
频率范围:DC 至 10 GHz
输出功率:34 dBm
增益:10 dB
电源电压:28 V
封装形式:陶瓷金属封装
ERA34-10具有以下主要特性:
1. 高输出功率:能够在高达10 GHz的频率范围内提供34 dBm的输出功率。
2. 宽带工作能力:支持从直流到10 GHz的宽频率范围,适用于多种应用场景。
3. 高增益:具备10 dB的增益,有助于提高系统的整体性能。
4. 高效率:基于GaN技术,保证了高能效比,降低了散热需求。
5. 良好的线性度:适合要求严格的通信和雷达应用,减少信号失真。
6. 稳定可靠:经过严格的质量控制,能够在恶劣环境下保持长期稳定性。
ERA34-10广泛应用于以下领域:
1. 无线通信基站:用于提高信号覆盖范围和传输质量。
2. 雷达系统:支持高性能雷达设备中的发射机模块。
3. 测试与测量:适用于需要高功率和宽带宽的测试仪器。
4. 卫星通信:助力实现更远距离和更高质量的卫星数据传输。
5. 军事电子:满足国防领域对高性能射频设备的需求。
ERA34-8, ERA36-10