TMK063B7332KP-F 是一种功率 MOSFET 芯片,专为高效率、低损耗的开关应用设计。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有优异的导通电阻和开关性能,适用于高频电源转换器、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率管理的应用场景。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,支持较高的电流承载能力,并且具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:16A
导通电阻:0.08Ω
栅极电荷:40nC
总电容:2200pF
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
1. 高击穿电压:能够承受高达 650V 的漏源电压,适合高压应用场景。
2. 低导通电阻:仅为 0.08Ω,有助于降低功率损耗,提高系统效率。
3. 快速开关能力:具备较低的栅极电荷(40nC),可实现高频开关操作。
4. 热稳定性强:能够在极端温度条件下可靠运行,工作温度范围覆盖 -55℃ 至 +150℃。
5. 可靠性高:经过严格的质量控制流程,确保在恶劣环境下长期稳定工作。
6. 小型封装:优化的封装设计,便于 PCB 布局并节省空间。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制器
4. 工业自动化设备中的功率管理模块
5. 太阳能逆变器
6. LED 驱动电路
7. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统
IRF740, STP16NF65, FDP18N65C