GA1206A1R2BBLBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
此型号为 TO-263 封装形式,适合表面贴装技术 (SMT),能够显著减少系统尺寸并提高功率密度。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:45A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:39nC
开关时间:ton=8ns, toff=16ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升效率。
2. 快速开关性能,支持高频操作,非常适合开关电源及 DC-DC 转换器。
3. 强大的散热能力,使其能够在高温环境下稳定运行。
4. 高可靠性设计,确保在各种恶劣条件下的长期使用。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机控制与驱动
3. 工业自动化设备
4. 电信基础设施中的负载管理
5. 汽车电子系统的功率调节
6. 计算机及外设中的电源管理模块
IRFZ44N, FDP5570, STP55NF06L