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GA1206A1R2BBLBT31G 发布时间 时间:2025/5/30 14:53:22 查看 阅读:8

GA1206A1R2BBLBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
  此型号为 TO-263 封装形式,适合表面贴装技术 (SMT),能够显著减少系统尺寸并提高功率密度。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:39nC
  开关时间:ton=8ns, toff=16ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升效率。
  2. 快速开关性能,支持高频操作,非常适合开关电源及 DC-DC 转换器。
  3. 强大的散热能力,使其能够在高温环境下稳定运行。
  4. 高可靠性设计,确保在各种恶劣条件下的长期使用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机控制与驱动
  3. 工业自动化设备
  4. 电信基础设施中的负载管理
  5. 汽车电子系统的功率调节
  6. 计算机及外设中的电源管理模块

替代型号

IRFZ44N, FDP5570, STP55NF06L

GA1206A1R2BBLBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1.2 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-