时间：2025/7/2 9:45:59
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NGTB35N65FL2WG 是一款由 Nexperia 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PDFN5x6-8 封装。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种高效率电源管理应用。
其设计目标是满足工业、汽车及消费电子领域对高效能功率转换的需求，同时提供小尺寸封装以节省 PCB 空间。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：35A
导通电阻：145mΩ
栅极电荷：70nC
开关时间：ton=50ns, toff=30ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PDFN5x6-8
NGTB35N65FL2WG 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电压（650V），适合高压应用场景。
3. 小型化 PDFN5x6-8 封装，有助于减少 PCB 占用空间。
4. 快速开关能力，支持高频操作，适合 SMPS 和 DC-DC 转换器。
5. 优异的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 工业逆变器和 UPS 系统。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
5. 汽车电子中的负载切换和保护功能。
6. 光伏逆变器及其他可再生能源相关设备。
NTBG35N65L2W, IRFB357GTRPBF, FDP16N65S3
