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NGTB35N65FL2WG 发布时间 时间:2025/7/2 9:45:59 查看 阅读:7

NGTB35N65FL2WG 是一款由 Nexperia 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 PDFN5x6-8 封装。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种高效率电源管理应用。
  其设计目标是满足工业、汽车及消费电子领域对高效能功率转换的需求,同时提供小尺寸封装以节省 PCB 空间。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:35A
  导通电阻:145mΩ
  栅极电荷:70nC
  开关时间:ton=50ns, toff=30ns
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:PDFN5x6-8

特性

NGTB35N65FL2WG 的主要特性包括:
  1. 超低导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高额定电压(650V),适合高压应用场景。
  3. 小型化 PDFN5x6-8 封装,有助于减少 PCB 占用空间。
  4. 快速开关能力,支持高频操作,适合 SMPS 和 DC-DC 转换器。
  5. 优异的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 工业逆变器和 UPS 系统。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
  5. 汽车电子中的负载切换和保护功能。
  6. 光伏逆变器及其他可再生能源相关设备。

替代型号

NTBG35N65L2W, IRFB357GTRPBF, FDP16N65S3

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NGTB35N65FL2WG参数

  • 现有数量90现货
  • 价格1 : ¥39.67000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)70 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)120 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2V @ 15V,35A
  • 功率 - 最大值300 W
  • 开关能量840μJ(开),280μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷125 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值72ns/132ns
  • 测试条件400V,35A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)68 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247-3