存储器类型：MRAM
　　容量：16K x 6 位（96Kb）
　　电源电压：2.7V 至 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　封装类型：28引脚 SOIC 或 DIP
　　接口类型：并行接口
　　读取/写入时间：最大 55ns
　　写入耐久性：无限次（10^12 次以上）
　　数据保留时间：超过 20 年
　　封装尺寸：约 17.4mm x 7.3mm（SOIC）

ER1606N 是一款基于磁阻效应的 MRAM 芯片，具备非易失性和高速读写能力。与传统 SRAM 或 Flash 相比，ER1606N 不需要电池供电来保持数据，在断电后仍能长期保留存储内容。其写入次数理论上可以达到 10^12 次以上，远超 Flash 存储器的擦写寿命限制，适用于频繁写入的应用场景。该芯片的并行接口支持快速访问，最大访问时间在 55ns 以内，适合实时控制和数据记录系统。
　　ER1606N 的电源电压范围较宽，可在 2.7V 到 5.5V 的电压下工作，增强了其在不同系统环境中的兼容性。它的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，满足工业级温度要求，适用于恶劣环境下的设备应用，如工业控制、汽车电子和航空航天系统。
　　该芯片采用 28 引脚的 SOIC 或 DIP 封装形式，体积适中，便于 PCB 布局和焊接。其数据保持时间超过 20 年，适合需要长期数据存储的应用。此外，ER1606N 具备抗辐射和高可靠性的特点，使其在高可靠性要求的军事和航天领域中也具备广泛应用。

ER1606N 主要应用于需要非易失性存储、高速读写能力和高可靠性的系统中。典型应用包括工业控制系统中的实时数据存储、汽车电子系统中的事件记录（如黑匣子）、医疗设备中的关键参数保存、航空航天系统中的飞行数据记录，以及嵌入式系统的程序和数据存储。此外，它还适用于 POS 机、智能电表、自动测试设备（ATE）等需要频繁写入和数据持久性的设备。

ER1606X, MR1606, FM16W08