时间：2025/9/14 15:47:15
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PBSS4630PA,115是一款由Nexperia（安世半导体）推出的N通道增强型功率MOSFET，广泛应用于中高功率电子系统中，如电源管理、DC-DC转换器和负载开关等。该器件采用先进的Trench MOS技术，提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力，确保在高频率开关应用中的高效能表现。其封装形式为DFN2020-6（SOT1223-6），具备良好的热管理和小型化优势，适用于空间受限的便携式设备。
类型：N通道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：5.5A（在VGS=10V时）
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：2.2W（在Tamb=25°C时）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：DFN2020-6（SOT1223-6）
PBSS4630PA,115具备多项优良特性，适用于高性能功率管理系统。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统效率。其次，该MOSFET支持较高的栅极电压（高达10V），确保在高电流条件下仍能保持稳定的导通性能。此外，器件采用了Nexperia的高性能Trench MOS工艺，提供了优异的开关速度和热稳定性，有助于在高频应用中减少开关损耗。
DFN2020-6封装设计不仅减小了PCB占用面积，还通过底部散热焊盘提高了热传导效率，有助于在高负载条件下保持较低的工作温度。同时，该器件具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下提供一定的保护作用。
PBSS4630PA,115还具备良好的长期稳定性和可靠性，符合AEC-Q101汽车级认证标准，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
PBSS4630PA,115因其高性能和紧凑封装，广泛应用于多种功率管理电路和嵌入式系统中。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动电路、LED照明控制以及便携式消费电子产品中的电源模块。此外，该器件也适用于工业自动化设备、电信基础设施和汽车电子系统中的功率控制部分。
NDS355AN, SiSS23DN, BUK9M52-30B, FDS4685
