时间:2025/12/26 3:39:55
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B3100-13-F是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用SOD-123表面贴装封装。该器件专为高效率、高频整流应用设计,适用于多种消费类电子设备和电源管理系统中。其主要特点是具有较低的正向电压降和快速的反向恢复时间,这使得它在开关电源、DC-DC转换器以及极性保护电路中表现出色。B3100-13-F的额定平均正向电流为1A,最大重复峰值反向电压为100V,适合在紧凑型电源设计中替代传统快恢复二极管以提高系统效率。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备无卤素(Halogen-free)特性,满足现代电子产品对环境友好材料的要求。其小型化封装有利于节省PCB空间,适用于便携式设备和高密度组装场景。工作结温范围通常为-55°C至+125°C,确保了在各种环境条件下的可靠运行。
器件类型:肖特基二极管
封装/外壳:SOD-123
是否无铅:是
是否符合RoHS:是
最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
最大直流阻断电压(VR):100V
最大平均正向整流电流(IF(AV)):1A
峰值浪涌电流(IFSM):30A
最大正向电压(VF)@ 1A:850mV @ 1A
最大反向漏电流(IR):1.0mA @ 100V, 25°C
反向恢复时间(trr):典型值5ns
工作结温范围(TJ):-55°C ~ +125°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
热阻抗(RθJA):约200°C/W(取决于PCB布局)
安装类型:表面贴装(SMD)
B3100-13-F肖特基二极管的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种结构利用金属与半导体之间的接触形成整流特性,相较于传统的PN结二极管,显著降低了正向导通压降。在1A的工作电流下,其最大正向电压仅为850mV,这意味着更低的功耗和更少的热量产生,从而提升了整个电源系统的能效。尤其在电池供电设备或对能效要求较高的应用场景中,这一特性可以有效延长续航时间并减少散热设计负担。
另一个关键性能指标是其极短的反向恢复时间(trr),典型值仅为5纳秒。由于肖特基二极管属于多数载流子器件,几乎不存在少数载流子的储存电荷效应,因此在高频开关过程中不会出现明显的反向恢复电流尖峰。这不仅减少了开关损耗,还抑制了电磁干扰(EMI)的产生,使其非常适合用于高频DC-DC转换器、同步整流辅助电路以及开关电源中的续流或箝位应用。
B3100-13-F采用SOD-123封装,体积小巧,仅约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm,非常适合空间受限的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、USB充电模块和LED驱动电源等。该封装具备良好的热传导性能,在合理布局的PCB上可通过焊盘散热实现有效的热管理。同时,其机械强度足以承受回流焊工艺,支持自动化贴片生产,提高了制造效率和产品一致性。
该器件具有较高的浪涌电流承受能力,可达30A,能够在短暂的瞬态过流条件下保持稳定运行,增强了系统在异常工况下的鲁棒性。此外,其反向漏电流控制在1mA以内(100V时),虽然略高于某些低压肖特基管,但在100V耐压等级中仍属合理范围,兼顾了耐压能力与低损耗之间的平衡。综合来看,B3100-13-F是一款性能均衡、可靠性高且易于集成的通用型肖特基整流二极管。
B3100-13-F广泛应用于各类中小功率电源转换系统中。常见用途包括AC-DC适配器中的输出整流级,尤其是在多路输出结构中作为次级侧的隔离整流元件;在DC-DC降压或升压转换器中充当续流二极管,配合主开关管完成能量传递过程;也可用于电池充电电路中的防反接保护,防止外部电源反接损坏内部电路;此外,在LED照明电源模块中,常被用作恒流源电路中的辅助整流或电压箝位元件,提升整体稳定性。
由于其快速响应特性和低正向压降,该器件也适用于高频开关电源(SMPS)中的自由轮转(freewheeling)或箝位(clamping)功能,帮助抑制电压尖峰并减少能量损耗。在消费类电子产品如路由器、机顶盒、智能家电控制板中,B3100-13-F可用于电源轨间的隔离与冗余切换,确保不同电源路径之间互不干扰。
在工业控制领域,该二极管可应用于PLC模块、传感器供电单元及小型继电器驱动电路中,提供可靠的极性保护和瞬态抑制功能。其SOD-123封装的小型化特点使其成为高密度PCB布局的理想选择,特别适合追求轻薄化设计的产品平台。无论是用于效率优化、空间压缩还是提升系统可靠性,B3100-13-F都展现出良好的适应性和实用性。
1N5819WS-13-F
SS14
SB1100
MBR1100T1G