时间：2025/12/29 13:52:21
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RFD15N06LESM 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换应用，如DC-DC转换器、电源管理模块和负载开关等。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于要求高性能和高可靠性的工业和消费类电子产品。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：15A
导通电阻（RDS(on)）：最大45mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：75W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：HSON（热增强型小型无铅封装）
RFD15N06LESM MOSFET具备多项优越性能，首先其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提升整体系统效率。该器件的高电流承载能力（ID为15A）使其适用于高功率密度设计，满足紧凑型电源模块的需求。此外，采用HSON封装形式不仅减小了PCB占用空间，还通过底部散热焊盘增强了热性能，提高了散热效率。该MOSFET的栅极驱动电压范围宽广，支持标准逻辑电平控制，兼容多种驱动IC。同时，该器件具有良好的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压条件下的稳定性与可靠性。RFD15N06LESM 还具有快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关电源设计。
此外，RFD15N06LESM 符合RoHS环保标准，无铅封装设计满足现代电子设备对环保材料的要求。其高可靠性和优异的热稳定性使其在恶劣工作环境下仍能保持稳定性能，广泛应用于工业控制、服务器电源、通信设备、便携式充电器和电池管理系统等领域。
RFD15N06LESM MOSFET主要应用于以下领域：工业电源和DC-DC转换器、服务器和通信设备电源管理、负载开关和热插拔控制、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、LED照明驱动电源、消费类电子产品中的高效率电源模块等。其优异的导通性能和高可靠性也使其适合用于高频率开关应用和需要高功率密度的场合。
RFD15N06LEG、RFD15N06LE、SiSS15DN、FDMS86180、IRF7413
