EPCQ16SI8N 时间：2025/5/7 17:46:46 阅读：11

EPCQ16SI8N 是一款由 Efficient Power Conversion (EPC) 公司生产的氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET)，属于增强型 E 模式 GaN FET 系列。该器件采用了先进的 GaN 技术，能够提供更高的开关速度、更低的导通电阻和更高的效率，适用于高频功率转换应用。EPCQ16SI8N 的设计旨在替代传统的硅基 MOSFET，尤其适合于需要高效率和小型化的应用场景。
　　该器件采用无引线芯片级封装 (CSP)，具有出色的热性能和电气性能。其典型应用包括 DC-DC 转换器、无线充电系统、电机驱动、D类音频放大器以及其他高频功率电子设备。

参数

类型：GaN FET
　　工作电压：100 V
　　导通电阻：16 mΩ
　　最大漏极电流：32 A
　　栅极电荷：4.5 nC
　　反向恢复电荷：0 nC
　　封装形式：CSP
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

EPCQ16SI8N 的主要特点是利用氮化镓技术实现卓越的性能表现：
　　1. 高频率操作能力，允许使用更小的无源元件，从而减小整体系统尺寸。
　　2. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
　　3. 快速开关速度，减少开关损耗，提升电源转换效率。
　　4. 零反向恢复电荷，消除了与传统二极管相关的反向恢复损耗。
　　5. 采用无引线 CSP 封装，简化了 PCB 布局并提高了散热性能。
　　6. 宽广的工作温度范围，确保在极端条件下仍能可靠运行。

应用

EPCQ16SI8N 广泛应用于需要高效功率转换和高频操作的领域，例如：
　　1. DC-DC 转换器，用于服务器、电信设备和其他高性能电子产品。
　　2. 无线充电解决方案，特别是在消费类电子产品中。
　　3. 电机驱动电路，如无人机、机器人等。
　　4. D 类音频放大器，以实现更高效率的音频信号放大。
　　5. 其他高频功率电子应用，如太阳能逆变器、LED 驱动器等。