时间：2025/5/10 18:01:29
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CBP7.1T是一种高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：70V
最大连续漏极电流：6.8A
最大栅极源极电压：±20V
导通电阻：0.12Ω
总功耗：39W
工作温度范围：-55℃至150℃
CBP7.1T具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关特性，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 小型化封装设计，便于PCB布局和散热管理。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
CBP7.1T适用于多种功率电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 电池管理系统中的负载切换。
4. 电机驱动电路中的功率控制。
5. LED照明驱动中的功率调节组件。
6. 各种工业自动化设备中的功率管理部分。
IRFZ44N
STP75NF06L
FDP5500
AO3400
