时间：2025/7/23 21:55:09
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W26NM60 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高功率应用，具有高电压和高电流能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种工业和消费类电子设备中的功率开关应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压(Vds)：600V
连续漏极电流(Id)：13A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：0.35Ω
栅极电荷(Qg)：53nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220、D2PAK等
W26NM60 MOSFET具备低导通电阻特性，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其高击穿电压使其适用于高电压功率转换应用。该器件还具有快速开关特性，可减少开关损耗，提高工作频率。此外，W26NM60具有优异的热稳定性和过载能力，能够在高功率环境下稳定运行。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与各种控制电路接口。该MOSFET还集成了内置的续流二极管，提高了在感性负载切换时的可靠性。
W26NM60采用了先进的平面条形工艺技术，提高了器件的耐用性和稳定性。其封装形式具有良好的散热性能，确保在高电流条件下也能保持较低的温升。这种MOSFET适用于高温环境，具有较长的使用寿命和较高的可靠性，适合用于电源、变频器、照明系统以及自动化控制系统中。
W26NM60广泛应用于各类电力电子设备中，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS不间断电源、LED照明驱动电源、家用电器（如电磁炉、洗衣机）以及工业自动化控制系统中的功率开关电路。其高电压和高电流能力使其在高压功率应用中表现出色，能够有效提高系统的整体效率和稳定性。
STW26NM60, FDPF6N60, IRF840, FQP13N60
