时间：2025/6/20 14:11:47
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P50N03LDG是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252(DPAK)封装形式。该器件适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等应用领域。其低导通电阻和优化的开关性能使得它成为高效率功率转换的理想选择。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：8mΩ (在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg)：49nC
总功耗(Ptot)：76W
工作温度范围(Ta)：-55°C to +175°C
P50N03LDG具有较低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
其快速开关性能可降低开关损耗，并且具备较高的雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
此外，该器件还具备极佳的热稳定性和较低的输入及输出电容，从而简化了电路设计并提高了可靠性。
由于采用了DPAK封装，该芯片能够提供良好的散热性能，同时支持表面贴装技术(SMT)，便于自动化生产和组装。
P50N03LDG广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及汽车电子领域。
典型应用场景包括但不限于：
开关电源中的同步整流、负载点POL转换器中的功率开关、电机控制中的驱动元件、电池管理系统中的保护开关以及各种需要高效功率转换和控制的应用场景。
IRF540N
FDP5020
STP50NF06L
