LESD5L5.0T5G 是一款基于砷化镓(GaAs)材料的射频开关芯片,广泛应用于无线通信系统中的射频信号切换。该芯片采用增强型伪互补金属氧化物半导体(E-pHEMT)技术制造,能够提供低插入损耗、高隔离度和快速切换时间的性能表现。
这款芯片设计用于支持高达 6 GHz 的频率范围,非常适合蜂窝基站、测试设备、雷达系统以及其他需要高性能射频切换的应用场景。
类型:射频开关
封装:SOT-363
工作电压:2.7 V 至 5.5 V
最大频率:6 GHz
插入损耗:0.4 dB(典型值,在 2.4 GHz 下)
隔离度:45 dB(最小值,在 2.4 GHz 下)
切换时间:1 ns(典型值)
静态电流:0.1 mA(最大值,在关断模式下)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
LESD5L5.0T5G 提供了出色的射频性能,特别是在低功耗和高频应用中表现出色。
其关键特性包括:
- 高线性度和低谐波失真,保证信号完整性。
- 极低的导通电阻和关态电容,有助于降低插入损耗并提高效率。
- 小尺寸封装(SOT-363),非常适合空间受限的设计。
- 支持单刀双掷(SPDT)配置,允许灵活的电路设计。
- 内部匹配网络简化了外部元件的需求,从而减少了整体解决方案的复杂性。
- 工作温度范围宽广,适应各种环境条件下的使用需求。
该芯片适用于多种需要高性能射频切换的应用领域,包括但不限于:
- 蜂窝通信基础设施中的收发器信号路径切换。
- 测试与测量设备中的信号路由控制。
- 雷达系统的天线切换。
- 无线通信模块中的多频段选择功能。
- 工业物联网(IIoT)设备中的射频信号管理。
- 卫星通信系统中的信号处理组件。
SKY13349-365LF, RFSC1106, PE4210