EPC16UI88 时间：2025/7/19 8:20:51 阅读：7

EPC16UI88 是一款由 Efficient Power Conversion（EPC）公司制造的增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（eGaN FET）。这款器件是专为高效率、高频开关应用而设计的，广泛应用于电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动器、无线充电系统以及其他需要高功率密度和低开关损耗的场合。EPC16UI88 采用先进的 GaN 技术，消除了传统硅 MOSFET 的体二极管反向恢复损耗，显著提高了系统效率。

参数

类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：40A（在TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为8.8mΩ（最大10.5mΩ）
　　封装类型：四方扁平无引线封装（QFN）
　　引脚数：16
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　栅极电荷（Qg）：典型值为12nC
　　输入电容（Ciss）：典型值为1100pF
　　关断时间（toff）：典型值为9ns
　　开启时间（ton）：典型值为7ns

特性

EPC16UI88 的核心优势在于其基于氮化镓的半导体技术，该技术相较于传统硅基 MOSFET 具有更低的导通电阻和更快的开关速度。这使得该器件在高频应用中表现优异，能够显著降低开关损耗，提高整体系统的能效。此外，该器件的封装设计优化了热性能，有助于在高电流负载下保持稳定的工作温度。
　　另一个关键特性是其内部集成的栅极驱动保护电路，可以有效防止过压、过流和短路等异常情况，从而提高器件的可靠性和耐用性。这种集成保护机制减少了外围电路的复杂性，简化了设计流程，并降低了整体系统成本。
　　EPC16UI88 还具备极低的寄生电感，这使得它在硬开关和软开关拓扑中都能表现出色。这种特性对于高频功率转换器来说尤为重要，因为它可以减少开关过程中的电压振铃和电磁干扰（EMI），从而提高系统的稳定性和兼容性。
　　由于其优异的性能和紧凑的封装设计，EPC16UI88 适用于多种高性能电源应用，包括但不限于服务器电源、电信电源、太阳能逆变器、电池管理系统和电动汽车充电系统。

应用

EPC16UI88 主要应用于需要高效率、高功率密度和高频开关的电子系统中。例如，在数据中心服务器的电源供应系统中，该器件能够显著提高转换效率，降低热量损耗，提升整体能效指数（PUE）。在电信电源系统中，其高频开关特性可以减小磁性元件的体积，从而实现更紧凑的设计。
　　该器件也广泛用于电池管理系统和电动汽车充电系统，特别是在快速充电应用中，EPC16UI88 的低导通电阻和快速开关特性有助于提高充电效率并缩短充电时间。此外，在太阳能逆变器中，该器件能够提高最大功率点跟踪（MPPT）算法的响应速度，从而提升能量转换效率。
　　其他应用包括但不限于：高频 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、无线充电系统以及工业自动化和机器人系统中的电源模块。