时间：2025/5/23 20:54:29
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EPC16UC88N 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，属于增强型场效应晶体管（eGaN FET）。该器件专为高频、高效率应用而设计，能够显著提升电源转换系统的性能。
其封装形式为小尺寸 UCSP，有助于实现更高的功率密度和更紧凑的设计。EPC16UC88N 的典型应用场景包括 DC-DC 转换器、无线充电发射端、激光雷达驱动以及高速开关电路等。
额定电压：100V
连续漏极电流：12A
导通电阻：7.5mΩ
栅极电荷：3nC
输入电容：1480pF
反向恢复电荷：无（因 GaN 技术无体二极管）
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
EPC16UC88N 采用了先进的 eGaN 技术，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻，可减少传导损耗，提高效率。
2. 快速开关能力，支持 MHz 级别的开关频率，从而减小磁性元件体积。
3. 零反向恢复电荷，消除了传统硅 MOSFET 中常见的反向恢复损耗。
4. 小尺寸 UCSP 封装，有助于节省 PCB 空间并降低寄生电感。
5. 更高的功率密度和热性能，适合紧凑型设计需求。
6. 适用于高频应用场合，如无线充电、激光雷达和通信设备中的功率放大器。
EPC16UC88N 广泛应用于需要高效率和高频操作的领域，具体包括：
1. 高频 DC-DC 转换器：利用其快速开关特性和低导通电阻来优化电源转换效率。
2. 无线充电系统：作为关键功率开关，满足高效能量传输的要求。
3. 激光雷达（LiDAR）驱动：提供快速响应时间以支持精确的距离测量。
4. 射频功率放大器：在通信设备中用于信号放大。
5. 充电器与适配器：实现小型化和高效率的快充解决方案。
6. 其他要求高频和高效率的电子设备，例如服务器电源和分布式电源系统。
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