EPC16UC88N 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,属于增强型场效应晶体管(eGaN FET)。该器件专为高频、高效率应用而设计,能够显著提升电源转换系统的性能。
其封装形式为小尺寸 UCSP,有助于实现更高的功率密度和更紧凑的设计。EPC16UC88N 的典型应用场景包括 DC-DC 转换器、无线充电发射端、激光雷达驱动以及高速开关电路等。
额定电压:100V
连续漏极电流:12A
导通电阻:7.5mΩ
栅极电荷:3nC
输入电容:1480pF
反向恢复电荷:无(因 GaN 技术无体二极管)
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
EPC16UC88N 采用了先进的 eGaN 技术,具备以下特点:
1. 极低的导通电阻,可减少传导损耗,提高效率。
2. 快速开关能力,支持 MHz 级别的开关频率,从而减小磁性元件体积。
3. 零反向恢复电荷,消除了传统硅 MOSFET 中常见的反向恢复损耗。
4. 小尺寸 UCSP 封装,有助于节省 PCB 空间并降低寄生电感。
5. 更高的功率密度和热性能,适合紧凑型设计需求。
6. 适用于高频应用场合,如无线充电、激光雷达和通信设备中的功率放大器。
EPC16UC88N 广泛应用于需要高效率和高频操作的领域,具体包括:
1. 高频 DC-DC 转换器:利用其快速开关特性和低导通电阻来优化电源转换效率。
2. 无线充电系统:作为关键功率开关,满足高效能量传输的要求。
3. 激光雷达(LiDAR)驱动:提供快速响应时间以支持精确的距离测量。
4. 射频功率放大器:在通信设备中用于信号放大。
5. 充电器与适配器:实现小型化和高效率的快充解决方案。
6. 其他要求高频和高效率的电子设备,例如服务器电源和分布式电源系统。
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