型号：S1L50992F21A200
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：Power MOSFET
　　晶体管极性：N-Channel
　　漏源电压(Vdss)：100 V
　　连续漏极电流(Id) @25°C：90 A
　　脉冲漏极电流(Idm)：360 A
　　漏极功耗(Pd)：300 W
　　导通电阻(Rds(on)) @最大值：1.8 mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻(Rds(on)) 典型值：1.5 mΩ @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2.0 V ~ 3.5 V
　　输入电容(Ciss)：7000 pF
　　输出电容(Coss)：1000 pF
　　反向恢复时间(trr)：25 ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PG-HSOF-5-1

S1L50992F21A200采用了英飞凌先进的OptiMOS? 5技术平台，专为高频开关应用优化，在100V耐压等级中实现了极低的导通电阻与出色的开关性能之间的平衡。该器件的核心优势在于其超低Rds(on)，典型值仅为1.5mΩ，显著降低了传导损耗，从而提升了整体系统效率，尤其适用于大电流输出的同步整流拓扑结构。其沟道设计结合场截止型（Field-Stop）薄片晶圆工艺，有效减小了器件内部的寄生电感和电容，提高了开关速度并减少了开关过程中的能量损耗。
　　该MOSFET具备优异的热稳定性，能够在高达+175°C的结温下持续工作，满足汽车级和工业级应用对高温环境的要求。同时，其封装采用高强度铜夹连接技术（Copper Clip），替代传统铝线键合，大幅增强了载流能力和散热性能，避免因键合线熔断导致的失效风险，提升长期可靠性。PG-HSOF-5-1封装还支持表面贴装自动化生产，便于实现回流焊工艺，适应现代高密度PCB组装需求。
　　器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），有助于减少驱动电路的功耗，并降低电磁干扰（EMI）。此外，它具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下维持正常工作而不损坏。内置体二极管具有较快的反向恢复特性，trr约为25ns，可有效减少反向恢复损耗，特别适合用于硬开关和LLC谐振转换器中的次级侧整流应用。综合来看，S1L50992F21A200是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，广泛适用于服务器电源、电信整流器、电动工具、光伏逆变器及车载充电机等领域。

S1L50992F21A200广泛应用于各类需要高效、大电流功率开关的场景。典型应用包括大功率DC-DC降压变换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为低边或高边开关使用，提供高效的电压转换以满足CPU/GPU供电需求。在服务器和数据中心电源系统中，该器件可用于初级侧或次级侧的同步整流电路，显著提高转换效率并降低温升。
　　在通信电源和基站设备中，S1L50992F21A200常用于48V至12V中间母线转换器，凭借其低导通电阻和快速开关特性，有效减少功率损耗，提升系统能效等级。此外，在工业电机驱动器中，该MOSFET可用作桥式电路中的开关元件，控制直流或无刷电机的运行状态，适用于自动化设备、机器人和电动叉车等应用场景。
　　在新能源领域，如电动汽车的车载充电机（OBC）和直流充电桩的辅助电源模块中，S1L50992F21A200也发挥着重要作用。其高结温能力和高可靠性使其能够适应车载环境中复杂的热应力和振动条件。此外，该器件还可用于太阳能微型逆变器、储能系统的电池管理单元（BMU）以及高端UPS不间断电源中的功率级设计，为绿色能源系统提供高效、稳定的电力转换解决方案。

IPP090N10N5XKSA2
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