MOC8021SR2VM是一款由ON Semiconductor生产的单通道高电压高边栅极驱动器光耦合器,专为驱动功率MOSFET和IGBT等功率器件设计。该器件将光耦和驱动电路集成在一起,能够提供电气隔离并增强系统的抗干扰能力,适用于各种高电压、高频率的电力电子应用。MOC8021SR2VM采用8引脚表面贴装封装,具备良好的可靠性和稳定性。
类型:光耦合器 - 栅极驱动器
通道数:1
输入类型:DC
输出类型:开集
电压 - 供电:10V ~ 30V
电流 - 输出/通道:0.3A
电压 - 击穿(隔离):5000Vrms
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
传播延迟:500ns(最大)
MOC8021SR2VM的主要特性之一是其高电压隔离能力,可提供高达5000Vrms的击穿电压,确保输入与输出之间的安全电气隔离,适用于高电压环境下的信号传输和控制应用。此外,该器件具备快速的响应时间,最大传播延迟为500ns,适用于高频开关应用。
该光耦内部集成了一个高边驱动器和一个低边参考电压,能够在高噪声环境中提供稳定的输出信号。其输出端采用开集配置,便于与各种类型的功率器件接口,并支持外部上拉电阻以适配不同的电压电平。
MOC8021SR2VM的工作电压范围为10V至30V,使其适用于多种电源配置,包括DC-DC转换器、逆变器、电机控制和电源管理电路等应用场景。该器件的输出电流能力为0.3A,足以驱动多数MOSFET和IGBT器件的栅极,从而减少外围元件数量,提高系统集成度。
此外,该光耦具有良好的温度稳定性和抗干扰能力,在-40°C至125°C的工作温度范围内仍能保持稳定的性能,适用于工业级和汽车级应用。其表面贴装封装设计也便于自动化生产和PCB布局优化。
MOC8021SR2VM广泛应用于需要高电压隔离和功率器件驱动的场合,例如变频器、逆变器、电机驱动器、电源转换器、不间断电源(UPS)和工业自动化控制系统等。其高边栅极驱动能力使其非常适合用于半桥或全桥拓扑结构中的功率开关控制。
在电机控制应用中,MOC8021SR2VM可用于驱动MOSFET或IGBT模块,实现高效、可靠的功率开关操作。在太阳能逆变器和电动车充电系统中,该器件可以作为主开关器件的驱动元件,确保系统在高压环境下的稳定运行。
此外,MOC8021SR2VM也适用于各种电源管理系统,如DC-AC逆变器、AC-DC整流器以及智能电网设备,能够有效提升系统的安全性和能效表现。
HCPL-3120, TLP250, FOD3120, M57962L