时间：2025/12/25 1:43:46
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EPC16UC88 是一款由 Efficient Power Conversion（EPC）公司推出的增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），专为高效率、高频功率转换应用而设计。该器件采用了先进的 GaN-on-Si 技术，具有极低的导通电阻、快速的开关速度以及优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动、无线充电、太阳能逆变器等高性能应用场景。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID）：30A（在TC=25°C时）
导通电阻（RDS(on)）：16mΩ（最大值）
功率耗散（PD）：42W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：88引脚塑封BGA（Ball Grid Array）
栅极电荷（QG）：22nC
输出电容（COSS）：1300pF
短路耐受能力：支持
栅极驱动电压：5V（推荐）
EPC16UC88 拥有出色的电气性能和热管理能力，其主要特性包括：
1. **低导通电阻（RDS(on)）**：最大仅为 16mΩ，有助于降低导通损耗，提高能效。
2. **高速开关能力**：由于 GaN 材料的特性，EPC16UC88 能够实现比传统硅 MOSFET 更快的开关速度，减少开关损耗，适用于高频功率转换器设计。
3. **高集成度与小型化**：采用 88 引脚 BGA 封装，体积小巧，适合高密度电源系统设计，如服务器电源、通信设备电源等。
4. **优良的热性能**：封装设计优化了热传导路径，使得器件在高负载下仍能保持较低的工作温度，提升系统稳定性与可靠性。
5. **短路保护能力**：具备一定的短路耐受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。
6. **兼容标准栅极驱动电路**：推荐栅极驱动电压为 5V，兼容现有大多数驱动 IC，便于系统集成。
7. **无体二极管反向恢复损耗**：GaN FET 本身不具备传统 MOSFET 的体二极管，因此在同步整流等应用中可显著降低反向恢复损耗，进一步提升效率。
这些特性使 EPC16UC88 在高频 DC-DC 转换器、图腾柱 PFC、LLC 谐振变换器、电机驱动器、无线充电系统、光伏逆变器等应用中具有显著优势。
EPC16UC88 广泛适用于各种高效率、高频功率转换系统，包括：
? 高频 DC-DC 转换器，如用于服务器、电信设备和工业电源中的 48V 至负载点（PoL）转换器
? 图腾柱无桥功率因数校正（PFC）电路，用于提升 AC-DC 电源效率
? LLC 谐振变换器，用于高效率隔离式电源设计
? 电机驱动器和逆变器，适用于机器人、无人机和电动汽车中的功率控制模块
? 无线充电系统，特别是高频无线充电器的设计
? 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换环节
? 高速同步整流应用，利用其低 RDS(on) 和无体二极管特性提升效率
由于其卓越的性能，EPC16UC88 特别适合那些对效率、功率密度和系统成本有严格要求的应用场景。
EPC2053, EPC2055, EPC2067
