D2470R 时间：2025/8/18 12:39:13 阅读：16

D2470R是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和DC-DC转换器等电路中。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电源系统。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：10A
　　漏极-源极电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(ON)）：22mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

D2470R的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作。该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，优化了导通损耗和开关损耗的平衡，提高了整体效率。其封装形式为TO-252，具有良好的散热能力，适用于高功率密度设计。此外，D2470R还具备较高的抗雪崩能力和抗短路能力，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。这些特性使得D2470R非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等应用场景。
　　在应用中，D2470R的低导通电阻特性可以显著降低功率损耗，提高系统效率。同时，其高栅极阈值电压允许使用标准逻辑信号进行驱动，简化了驱动电路的设计。器件的封装设计也使其易于集成到PCB布局中，并通过表面贴装技术进行安装，提高了生产效率。