类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　最大漏-源电压（VDS）：600V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　最大功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

NTP5N60以其高电压能力和高效率著称，能够承受高达600V的漏-源电压，同时保持较低的导通电阻，以减少功率损耗。该器件采用了先进的平面工艺技术，提供卓越的可靠性和耐用性。此外，NTP5N60具备快速开关能力，能够适应高频操作，从而提高系统效率并减小外部组件尺寸。
　　在热管理方面，TO-220封装提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下也能稳定运行。NTP5N60还具备过温保护功能，当温度超过安全范围时，会自动降低导通能力，以防止器件损坏。
　　该MOSFET具有良好的抗雪崩能力，能够在极端条件下维持正常工作。其栅极驱动要求较低，适合与常见的驱动电路兼容。NTP5N60的这些特性使其成为高性能电源系统中的理想选择。

NTP5N60广泛应用于多种电力电子系统，包括但不限于：
　　1. **电源转换器**：在AC-DC和DC-DC转换器中，NTP5N60被用于高效能开关元件，实现高效率的能量转换。
　　2. **马达驱动器**：在电机控制电路中，作为功率开关，用于控制电机的速度和方向。
　　3. **工业自动化**：在工业控制系统中，用于驱动继电器、电磁阀等高功率负载。
　　4. **照明系统**：在LED驱动器和其他照明控制电路中，提供稳定的电流控制。
　　5. **家用电器**：如洗衣机、空调等家电产品中的电源管理模块，用于提高能效和稳定性。

FQP5N60、IRF5N60、STP5N60