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TGBR30L45 发布时间 时间:2025/12/27 8:48:46 查看 阅读:20

TGBR30L45是一款高性能的功率半导体器件,属于快恢复二极管(Fast Recovery Diode)类别,广泛应用于高电压、大电流的电力电子系统中。该器件由知名半导体制造商生产,具备优良的热稳定性和可靠性,适用于工业电源、逆变器、不间断电源(UPS)、电焊机以及高压直流输电等场景。TGBR30L45采用TO-247封装形式,具有良好的散热性能和机械强度,能够在高温环境下稳定运行。其主要特点是反向耐压高、正向电流承载能力强、恢复时间短且软恢复特性优异,能够有效降低开关过程中的电压尖峰和电磁干扰(EMI),从而提升整个系统的效率与安全性。此外,该器件经过严格的质量控制流程制造,符合国际环保标准,支持无铅焊接工艺,适合现代绿色电子产品的需求。由于其优异的电气特性和坚固的封装设计,TGBR30L45在高功率整流电路中表现出色,是许多工程师在设计高压整流模块时的首选器件之一。

参数

类型:快恢复二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):450V
  最大均方根正向电流(IF(RMS)):30A
  最大平均正向整流电流(IF(AV)):30A
  峰值非重复浪涌电流(IFSM):300A
  典型正向电压降(VF):1.55V @ 30A
  反向恢复时间(trr):35ns
  工作结温范围(Tj):-40°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-40°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247
  安装方式:单孔螺栓或夹片固定
  热阻(RθJC):1.2°C/W

特性

TGBR30L45的核心特性在于其卓越的动态开关性能与高可靠性。该器件具有非常短的反向恢复时间(trr),典型值仅为35纳秒,这意味着在高频开关应用中能显著减少开关损耗,提高电源转换效率。更重要的是,它的恢复过程呈现“软恢复”特性,即在反向恢复过程中电流衰减平滑,不会产生剧烈的电流突变,从而有效抑制了因dI/dt过高而引发的电压振荡和电磁干扰问题,这对于使用IGBT或MOSFET作为主开关器件的桥式电路尤为重要。这种软恢复行为有助于延长其他配套元件的寿命,并简化EMI滤波电路的设计。
  在静态电气性能方面,TGBR30L45可承受高达450V的重复反向电压,确保在瞬态过压情况下仍能安全工作。其额定平均正向电流为30A,在自然对流冷却条件下即可满足大多数中等功率应用需求;若配合散热器使用,可持续承载更高的电流负载。正向导通压降较低,典型值为1.55V@30A,这不仅降低了导通损耗,也有助于提升整体能效。同时,器件具备高达300A的非重复浪涌电流承受能力,使其在面对电网波动或启动冲击电流时具备更强的鲁棒性。
  从热管理角度看,TGBR30L45采用TO-247封装,该封装具有较小的热阻(RθJC=1.2°C/W),有利于将内部PN结热量高效传导至外部散热器,防止局部过热导致性能下降或失效。其宽广的工作结温范围(-40°C至+150°C)使得该器件可在恶劣环境温度下稳定运行,适用于工业级甚至部分军用级应用场景。此外,产品通过AEC-Q101等可靠性认证,具备抗湿气、抗热循环和抗机械应力的能力,适合自动化贴装工艺,支持回流焊和波峰焊等多种装配方式,提升了生产良率和一致性。

应用

TGBR30L45广泛应用于各类高功率、高频率的电力电子设备中。在工业电源领域,常用于三相整流桥或PFC(功率因数校正)电路中,作为主整流或续流二极管,提供高效的能量转换路径。在逆变器系统中,特别是太阳能光伏逆变器和风力发电变流器中,它被用作反并联续流二极管,配合IGBT模块实现能量回馈和换流功能,其快速且软恢复的特性有助于减少开关应力,提升系统效率。在不间断电源(UPS)设备中,TGBR30L45可用于输入整流和输出逆变环节,保障在市电异常时仍能平稳切换供电模式,维持关键负载的持续运行。
  此外,该器件也常见于电焊机电源模块中,承担大电流整流任务,在频繁启停和高负载条件下依然保持稳定性能。在电动汽车车载充电机(OBC)和DC-DC变换器中,虽然当前主流趋向于使用SiC二极管,但在成本敏感型设计中,TGBR30L45凭借其成熟的工艺和可靠的性能仍然是一个可行的选择。在高压直流输电(HVDC)和感应加热设备中,该器件可用于多管并联构成整流堆,处理数千安培级别的电流。由于其良好的热稳定性和抗浪涌能力,特别适合在重工业环境中长期运行。同时,TGBR30L45还可用于大功率开关电源、伺服驱动器、变频空调压缩机驱动电路等场合,作为关键的功率整流元件,发挥其高效、耐用的优势。

替代型号

TGBR30L45W
  STTA30L45
  IXYS XR30-45
  Vishay MUR3045CT
  ON Semiconductor FFPF30U45S

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