时间：2025/7/14 16:25:13
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EPC120-CSP10 是一款由 Efficient Power Conversion (EPC) 公司生产的增强型氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET)，型号为 EPC120，采用 CSP10 封装形式。该器件专为高效率、高频开关应用设计，适用于电源转换器、DC-DC 转换器、无线充电系统等场景。与传统硅基 MOSFET 相比，EPC120 在导通电阻、开关损耗和封装尺寸方面具有显著优势，适合在高性能电力电子系统中使用。
类型：氮化镓场效应晶体管 (GaN FET)
型号：EPC120
封装：CSP10（晶圆级芯片尺寸封装）
最大漏源电压 (VDS)：100 V
最大连续漏极电流 (ID) @ 25°C：8.5 A
导通电阻 (RDS(on))：32 mΩ（典型值）
栅极电荷 (QG)：4.6 nC
输入电容 (Ciss)：500 pF
工作温度范围：-55°C 至 150°C
EPC120-CSP10 采用了先进的氮化镓技术，具有非常低的导通电阻和快速的开关速度，使其非常适合用于高频率功率转换应用。其晶圆级芯片尺寸封装 (CSP10) 提供了极小的物理尺寸和较低的寄生电感，从而进一步提高了开关性能和热管理能力。此外，该器件无需使用散热片即可在许多应用中运行，有助于简化 PCB 设计并减少整体系统尺寸。EPC120 还具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。这些特性使其成为高效同步整流器、多相降压转换器以及 LLC 和谐振变换器的理想选择。
EPC120 的栅极驱动要求较为简单，支持标准 5V 栅极驱动电压，兼容大多数现有的驱动 IC。由于其零反向恢复电荷 (Zero Qrr)，可显著降低因二极管反向恢复引起的损耗，提高系统效率。此外，该器件没有传统硅 MOSFET 中常见的体二极管问题，因此在硬开关和高频应用中表现更加优异。
EPC120-CSP10 主要应用于需要高效率和高频操作的电力电子设备中，如 DC-DC 转换器、服务器电源、电信设备、LED 照明驱动、电池管理系统、无线充电平台、电机控制电路以及光伏逆变器等。由于其小型化封装和出色的热性能，也适用于空间受限的设计，例如移动电源、便携式电子产品及嵌入式系统中的高效能电源模块。
EPC2015, GS61004B, SiC622, EPC1010
