MDF4N65B 时间：2025/5/10 16:32:29 阅读：9

MDF4N65B是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用N沟道增强型设计。该器件主要应用于高频开关电路和功率转换领域，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热稳定性等特性。其额定电压为650V，能够满足高压应用环境的需求。
　　该器件广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率管理的电子设备中。

参数

最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：4.1A
　　导通电阻：2.3Ω
　　栅极电荷：18nC
　　总电容：125pF
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

MDF4N65B具备以下显著特性：
　　1. 高耐压能力，适合高压应用场景。
　　2. 极低的导通电阻，有效降低功率损耗。
　　3. 快速开关性能，支持高频操作，减少电磁干扰。
　　4. 出色的热稳定性，能够在高温环境下保持性能。
　　5. 小尺寸封装，便于在紧凑型设计中使用。
　　6. 符合RoHS标准，环保且可靠性高。

应用

MDF4N65B适用于多种电力电子设备及系统，包括但不限于以下应用：
　　1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
　　2. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换。
　　4. 脉宽调制(PWM)控制器中的高速开关元件。
　　5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
　　6. LED照明驱动电路中的关键组件。