工作频率：1.8 GHz - 2.2 GHz
　　输出功率：典型值为 250 W (50 V 电源)
　　增益：约 18 dB
　　效率：典型值 40% @ 50 V 电源
　　电源电压：DC 48V - 65V
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　封装类型：高功率气腔陶瓷封装（类似LDMOS工艺）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　线性度：支持高线性度操作，适用于现代调制格式

EPA1140100 的主要特性之一是其基于 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术的高性能功率放大能力。这种技术使得芯片在高频下仍能保持良好的效率和线性度，适用于 4G LTE、5G NR 以及其他宽带通信系统中的基站功率放大器应用。
　　EPA1140100 支持高达 2.2 GHz 的频率范围，适合多种无线通信频段，包括 LTE Band 1、3、7 等。其高输出功率能力和较高的增益水平（约 18 dB）使得它在多级放大链路中可以作为主功率放大器使用，减少外围电路的复杂性。
　　该芯片具有良好的热稳定性和高可靠性，适用于长时间连续工作的工业级应用场景。其热阻较低，有助于在高功率输出时保持良好的散热性能，延长使用寿命。
　　此外，EPA1140100 设计上注重线性度的优化，能够满足高数据速率传输对信号保真度的要求，适用于 OFDM、QAM 等调制方式。这使得它在现代无线通信系统中成为一种理想的选择。
　　该器件采用气腔陶瓷封装（Air Cavity Ceramic Package），有助于提升散热效率并减少寄生效应，确保高频性能的稳定性。

EPA1140100 主要用于无线通信基础设施中的功率放大模块，如宏基站、微基站、远程射频头（RRH）和分布式天线系统（DAS）。它适用于需要高功率输出和高线性度的系统，尤其是在 LTE 和 5G 应用中。
　　除了通信基站，EPA1140100 也常用于工业测试设备、射频能量应用、军事通信系统以及广播发射机等场景。由于其宽频带特性，工程师可以利用它构建多频段或多标准的射频放大平台，从而提高系统的灵活性和扩展性。
　　在设计中，该芯片通常与驱动放大器、滤波器、耦合器和电源管理系统配合使用，以构建完整的射频发射链路。设计人员需要特别注意输入/输出匹配网络的设计，以最大化功率传输效率和系统稳定性。

EPA1140200, BLF578, AFT05MS004N