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EP4SE530H35C3NES 发布时间 时间:2025/12/25 5:23:48 查看 阅读:6

EP4SE530H35C3NES 是 Intel(原 Altera)推出的一款高端 Stratix IV 系列的 FPGA(现场可编程门阵列)芯片。该芯片采用高性能的 40nm 制造工艺,具有高逻辑密度、丰富的嵌入式存储资源和高速 DSP 模块,适用于高性能计算、通信、视频处理和工业控制等领域。这款芯片属于 Stratix IV GT 子系列,集成了高速收发器,支持多种高速接口协议。

参数

型号:EP4SE530H35C3NES
  系列:Stratix IV GT
  制造工艺:40nm
  逻辑单元数量:530,000 LEs
  嵌入式存储器:约38.7 Mb
  DSP 模块:1,920 个 18x18 乘法器
  高速收发器:支持速率高达 8.5 Gbps
  I/O 引脚数:1,024
  封装形式:FBGA
  工作温度:商业级/工业级可选
  电源电压:1.0V 内核电压,多种 I/O 电压支持
  最大用户 I/O 数:799
  最大系统时钟频率:约 500 MHz

特性

EP4SE530H35C3NES 具备一系列先进的功能,使其在复杂系统设计中具有很高的灵活性和性能表现。
  1. **高逻辑密度**:该芯片拥有高达 530,000 个逻辑单元,能够实现非常复杂的数字逻辑功能,适用于大规模 ASIC 原型验证和高性能计算任务。
  2. **丰富的嵌入式存储资源**:内置 38.7 Mb 的嵌入式存储器,支持各种数据缓存和存储需求,适用于构建大型 FIFO、RAM 或图像处理缓冲区。
  3. **强大的 DSP 性能**:集成了 1,920 个 18x18 位硬件乘法器,可高效执行数字信号处理算法,如 FFT、滤波、图像增强等。
  4. **高速收发器支持**:具备多个支持 8.5 Gbps 速率的高速收发器模块,支持多种通信协议,如 PCIe Gen2、XAUI、Serial RapidIO、SDH/SONET 等,适用于高速数据传输应用。
  5. **灵活的 I/O 配置**:支持多达 1024 个 I/O 引脚,兼容多种电压标准,如 LVDS、LVCMOS、HSTL、SSTL 等,适应多种外设接口需求。
  6. **时钟管理功能**:内置多个高性能 PLL(锁相环),可实现精确的时钟合成与管理,支持多时钟域设计,满足复杂时序控制要求。
  7. **低功耗设计**:尽管性能强大,但通过优化架构和电源管理技术,该芯片在运行时仍能保持相对较低的功耗,适合对功耗敏感的应用场景。
  8. **高级安全功能**:支持多种安全机制,如加密比特流配置、防篡改保护等,适用于对安全性要求较高的设计。

应用

EP4SE530H35C3NES 因其高性能和灵活性,广泛应用于多个高端技术领域。
  1. **通信基础设施**:用于构建基站、核心网设备、光模块、路由器和交换机中的数据包处理、协议转换和加密处理。
  2. **视频与图像处理**:支持高分辨率视频采集、处理与传输,适用于广播设备、医疗成像、安防监控等系统。
  3. **测试与测量设备**:作为核心控制和数据处理单元,用于逻辑分析仪、信号发生器、频谱分析仪等精密仪器中。
  4. **工业控制与自动化**:用于高性能工业控制系统、运动控制、机器视觉和智能传感器网络。
  5. **高性能计算与加速**:用于科学计算、金融建模、AI 推理加速等场景中的硬件加速器设计。
  6. **军事与航空航天**:因其高可靠性和可定制性,适用于雷达、卫星通信、飞行控制等军用电子系统。
  7. **ASIC 原型验证**:作为 ASIC 前期验证平台,支持复杂 SoC 的功能验证和调试。

替代型号

EP4SGX530KF40C4NES、EP4GT30F40C4NES、EP4SE820H35C3NES

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EP4SE530H35C3NES参数

  • 标准包装3
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列)
  • 系列STRATIX® IV E
  • LAB/CLB数21248
  • 逻辑元件/单元数531200
  • RAM 位总计28033024
  • 输入/输出数744
  • 门数-
  • 电源电压0.87 V ~ 0.93 V
  • 安装类型表面贴装
  • 工作温度0°C ~ 85°C
  • 封装/外壳1152-BBGA 裸露焊盘
  • 供应商设备封装1152-HBGA(40x40)