类型：齐纳二极管
　　封装：SOD-323
　　齐纳电压（Vz）：约7.5V（典型值）
　　测试电流（Izt）：5mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：30Ω
　　功率耗散（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　温度系数：+4.0 mV/°C（典型）
　　漏电流（Ir）：< 1μA @ Vr = 1V

UMZ1N齐纳二极管具备优异的电压稳定性能，其核心特性之一是在反向击穿区域中能维持一个相对恒定的电压输出，即使流经器件的电流在一定范围内变化，也能有效抑制电压波动，从而为下游电路提供可靠的稳压功能。该器件设计用于低功率应用场景，其200mW的功率耗散能力足以应对大多数便携式电子设备中的电压钳位需求。在正常工作条件下，当反向电压达到其标称齐纳电压（约为7.5V）时，器件进入击穿状态，此时电流可在几毫安至数十毫安之间变化而电压变化极小，体现出良好的稳压效果。
　　该器件采用SOD-323超小型表面贴装封装，尺寸紧凑，典型外形尺寸约为1.7mm × 1.25mm × 1.1mm，极大节省了PCB布局空间，特别适用于高密度组装的移动终端设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴装置。同时，这种封装形式具有良好的热传导性能和机械强度，能够在回流焊工艺中保持稳定，不易发生偏移或虚焊问题。
　　UMZ1N还表现出优良的温度稳定性，其电压温度系数经过优化，在宽温度范围内仍能保持较小的电压漂移。这对于需要长期运行且环境温度变化较大的应用尤为重要。此外，器件的动态阻抗较低（典型值30Ω），意味着在负载快速变化时仍能维持较平稳的输出电压，减少因瞬态电流波动引起的噪声干扰。漏电流极低（小于1μA），在未达到击穿电压前几乎不导通，确保信号路径或电源线路在正常工作电压下不受影响。
　　作为一种通用型齐纳二极管，UMZ1N广泛用于电压参考、过压保护、电平钳位以及浪涌抑制等场合。它不仅可用于直流电源的稳压环节，也可作为模拟电路中的偏置电压源。由于多个厂商均提供兼容型号，供应链稳定性较高，便于批量采购和替代选型。整体而言，UMZ1N是一款性价比高、性能可靠的小信号齐纳二极管，适用于多种现代电子系统的设计需求。

UMZ1N齐纳二极管广泛应用于各类电子设备中，主要用于电压参考、过压保护和电平钳位等电路设计。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机，该器件常被用作电源轨的稳压元件，防止因电压波动导致敏感IC（如MCU、传感器或射频模块）损坏。例如，在3.3V或5V供电系统中，将其与限流电阻配合使用，可构建简单的稳压网络，确保关键节点电压不会超过安全阈值。
　　在通信接口保护方面，UMZ1N可用于USB、I2C、UART等信号线的静电放电（ESD）防护和瞬态电压抑制。当信号线上出现异常高压脉冲时，齐纳二极管迅速导通并将多余能量泄放到地，从而保护后级集成电路免受损害。其快速响应特性和低寄生电容使其对高速信号传输的影响极小，不会显著劣化信号完整性。
　　在电源管理单元中，UMZ1N可作为反馈回路中的电压检测元件，参与构成分压采样网络，帮助实现精确的输出电压调节。此外，它也可用于为比较器或ADC提供稳定的参考电压源，提升测量精度。在工业控制和汽车电子领域，尽管其功率有限，但在低压辅助电路或传感器供电模块中仍可发挥重要作用，特别是在需要小型化设计的场合。
　　由于其SOD-323封装易于自动化贴装，UMZ1N也广泛应用于大批量生产的消费电子主板、电源适配器控制板以及智能家电控制模块中。无论是用于稳压、限幅还是噪声抑制，该器件都以其高可靠性、小尺寸和成本优势成为工程师常用的被动元件之一。

MMBZ5231B
　　MCPZ7V5T1G
　　BZT52C7V5