类型：齐纳二极管
　　极性：单向
　　标称齐纳电压：6.8V
　　容差：±5%
　　测试电流：5mA
　　最大齐纳阻抗：15Ω
　　最大功耗：200mW
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-523
　　安装类型：表面贴装

EMZC6.8N 齐纳二极管具备出色的电压稳定性和温度补偿能力，能够在多种工作条件下维持精确的输出电压。其核心特性之一是标称齐纳电压为 6.8V，在 5mA 的测试电流下表现出良好的动态阻抗特性，最大齐纳阻抗仅为 15Ω，这确保了在负载变化时仍能保持较小的电压波动，提升了系统的稳定性。该器件采用了先进的制造工艺，使其具有优异的一致性和重复性，适用于批量自动化生产中的精密控制应用。
　　该器件的 ±5% 电压容差在同类产品中属于较高精度等级，有助于减少外围校准电路的设计复杂度，提高整体系统集成度。同时，SOD-523 封装尺寸极小（典型尺寸约为 1.6mm × 0.8mm × 0.95mm），极大节省了 PCB 布局空间，特别适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等紧凑型电子产品。尽管体积小巧，EMZC6.8N 仍具备 200mW 的最大功率耗散能力，可在短时间承受一定的过载冲击，增强了系统的鲁棒性。
　　EMZC6.8N 具有较低的漏电流，在未达到击穿电压前几乎不导通，有效防止不必要的能量损耗。其反向漏电流在额定条件下通常低于 1μA，保证了待机状态下的低功耗表现。此外，该器件拥有 -55°C 至 +150°C 的宽工作结温范围，使其能在高温环境如车载电子或工业控制设备中可靠运行。得益于东芝严格的品质管理体系，EMZC6.8N 在寿命测试、湿度敏感度等级（MSL=1）及焊接耐热性方面均符合 J-STD-020 标准，适用于回流焊和波峰焊工艺。
　　该齐纳二极管还具备良好的瞬态响应能力，能迅速抑制电压尖峰，常被用作 ESD 保护或浪涌抑制元件。结合外部限流电阻使用时，可有效钳制输入信号电平，保护后续敏感 IC 免受高压损伤。综上所述，EMZC6.8N 凭借其高精度、小尺寸、高可靠性和环保合规性，成为现代电子系统中理想的电压参考与保护解决方案之一。

EMZC6.8N 主要应用于需要稳定参考电压或过压保护的小功率电子电路中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源电压监测与调节，例如在智能手机、蓝牙耳机、智能手表等设备中作为 LDO 输出反馈网络的一部分，提供精确的分压参考点。此外，它也广泛用于各类传感器信号调理电路中，用于钳位输入信号幅度，防止因异常信号导致后级放大器或 ADC 损坏。
　　在通信接口保护方面，EMZC6.8N 可用于 USB、I2C、UART 等低速数据线路的电平限制，配合 TVS 器件形成多级防护结构，提升系统的电磁兼容性（EMC）性能。在电池供电系统中，该器件可用于电池电压检测电路，帮助 MCU 判断电量状态并触发低电压报警或关机机制。
　　工业控制领域中，EMZC6.8N 常见于 PLC 模块、传感器变送器和仪器仪表内部的模拟信号隔离与保护电路中。由于其具备良好的温度稳定性和长期可靠性，即使在恶劣环境下也能保持性能一致性。另外，在电源管理单元（PMU）或 DC-DC 转换器的反馈回路中，EMZC6.8N 可作为辅助稳压元件，协助主控制器实现更精准的输出电压调整。
　　由于其 SOD-523 小型封装特性，该器件也非常适用于高密度贴片组装的自动化生产线，满足现代电子产品微型化、轻薄化的发展趋势。无论是消费电子、物联网终端还是汽车电子中的非动力控制系统，EMZC6.8N 都能发挥关键作用，保障电路安全稳定运行。

MMBZ5237B|PMBZ5237B|SZMMSZ5237B|CZRU6.8